智通財經APP獲悉，華金證券發佈研報稱，根據半導體創芯網數據，臺積電3nm和5nm製程技術的價格將上升5%到10%，CoWoS工藝將漲價15%到20%(供不應求)，這一調整既源於AI領域對計算能力的需求激增，也顯示了製程技術成本的不斷上升。CoWoS-L中介層包括多個本地硅互連(LSI)芯片和全域再分佈層(RDL)，形成一個重組中介層(RI)，以取代CoWoS-S中的單片硅中介層。CoWoS-L目前已成功實現採用3倍掩模尺寸(約2500平方毫米)的插接器，搭載多個SoC/芯片模組和8個HBM方案。
華金證券主要觀點如下：
事件：據中國臺灣媒體《自由財經》報道，自2025年1月起，臺積電將對其3nm、5nm及CoWoS工藝的代工價格進行上調，預計漲幅將在5%到20%之間。
CoWoS或迎來量/價/需求齊升，CoWoS-S轉向CoWoS-L趨勢明顯
量：根據DIGITIMESResearch數據，受雲端AI加速器需求旺盛推動，2025年全球對CoWoS及類似封裝產能的需求或將增長113%。主要供應商臺積電、日月光科技控股(包括矽品精密工業、SPIL)和安靠正在擴大產能。
根據DIGITIMESResearch報告，到2025年第四季度末，臺積電的月產能預計將增至6.5萬片以上12英寸晶圓當量，而安靠和日月光合用產能將增至1.7萬片晶圓；英偉達是臺積電CoWoS封裝工藝最大客戶，受惠於英偉達Blackwell系列GPU量產，臺積電將從2025年第四季開始由CoWoS-S轉爲CoWoS-L製程，使CoWoS-L成爲臺積電CoWoS技術的主要製程；英偉達對CoWoS-L工藝需求可能會從2024年的3.2萬片晶圓大幅增加至2025年的38萬片晶圓，同比增長1018%。根據DIGITIMESResearch預計，2025年第四季CoWoS-L將佔臺積電CoWoS總產能的54.6%，CoWoS-S爲38.5%，CoWoS-R則爲6.9%。
價：根據半導體創芯網數據，臺積電3nm和5nm製程技術的價格將上升5%到10%，CoWoS工藝將漲價15%到20%(供不應求)，這一調整既源於AI領域對計算能力的需求激增，也顯示了製程技術成本的不斷上升。
需求：根據半導體縱橫數據，英偉達佔CoWoS整體供應量比重超過50%，A100、H100及BlackwellUltra等產品均會採用CoWoS封裝，2025年英偉達將會推廣採用CoWoS-L技術的B300和GB300系列。AMD的MI300採用臺積電SoIC(3D)和CoWoS(2.5D)兩種封裝技術。此外，博通、微軟、亞馬遜、谷歌對於CoWoS也存有一定需求。
CoWoS-L確保良好的系統性能同時避免大型硅中介層良率損失
CoWoS-L中介層包括多個本地硅互連(LSI)芯片和全域再分佈層(RDL)，形成一個重組中介層(RI)，以取代CoWoS-S中的單片硅中介層。LSIChiplet與CoWoS-S相比保留了亞微米級銅互連、硅通孔(TSV)和嵌入式深溝電容器(eDTC)，以確保良好系統性能，同時避免大型硅中介層良率損失問題。此外，在RI中引入穿絕緣體通孔(TIV)作爲垂直互連，以提供比TSV更低的插入損耗路徑。
CoWoS-L目前已成功實現採用3倍掩模尺寸(約2500平方毫米)的插接器，搭載多個SoC/芯片模組和8個HBM方案。LSI製造有兩種路線，LSI-1和LSI-2，主要區別在於互連金屬方案：
1)在製造LSI-1時，首先在300毫米硅芯片上製造TSV和一層單大馬士革銅金屬(M1)。然後，用未摻雜硅酸鹽玻璃(USG)作爲介電層的雙大馬士革銅形成互連結構。在LSI-1金屬方案中，雙大馬士革銅工藝提供的最小金屬寬度/空間爲0.8/0.8μm，厚度爲2μm。2)LSI-2具有相同的TSV結構和M1金屬方案。製造出M1層後，通過半新增工藝(SAP)，以聚酰亞胺(PI)爲介質層的銅RDL形成互連結構。SAP銅RDL的最小寬度/空間爲2/2μm，厚度爲2.3μm。
投資建議
華金證券認爲，當前ChatGPT依賴大模型、大數據、大算力支撐，其出現標誌着通用人工智能的起點及強人工智能的拐點，未來算力將引領下一場數字革命，xPU等高端芯片需求持續增長。先進封裝爲延續摩爾定理提升芯片性能及集成度提供技術支持，隨着Chiplet封裝概念持續推進，先進封裝各產業鏈(封測/設備/材料/IP等)將持續受益。
建議關注標的
封測：通富微電(002156.SZ)、長電科技(600584.SH)、華天科技(002185.SZ)、甬矽電子(688362.SH)、偉測科技(688372.SH)。
設備：北方華創(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)、盛美上海(688082.SH)、華峯測控(688200.SH)、長川科技(300604.SZ)、中科飛測(688361.SH)、華海清科(688120.SH)。
材料：華海誠科(688535.SH)、鼎龍股份(300054.SZ)、深南電路(002916.SZ)、興森科技(002436.SZ)、上海新陽(300236.SZ)、聯瑞新材(688300.SH)、飛凱材料(300398.SZ)。
EDA：華大九天(301269.SZ)、廣立微(301095.SZ)、概倫電子(688206.SH)。
IP：芯原股份(688521.SH)。
風險提示
下游需求復甦低於預期；先進封裝技術研發不及預期；人工智能發展不及預期；系統性風險。