智通財經APP獲悉，國開證券發佈研報稱，隨着AI模型參數規模不斷增大、HPC算力需求攀升，以及GPU/ASIC加速器在帶寬和能耗比上的要求越來越高，HBM、DDR5需求將快速增長，並在帶寬、堆疊層數、容量和能效方面持續升級，以支撐高性能應用；疊加終端新一輪創新週期的開啓、芯片國產化進程提速等因素，存儲市場向上空間將進一步打開，芯片產業鏈設備、先進封裝等環節亦將迎來持續成長。
國開證券主要觀點如下：
受傳統終端需求影響DRAM和NAND價格再度走低
受下游庫存高企及需求疲軟的影響，23年上半年存儲產品經歷了量價持續下跌，而後隨着存儲廠商主動減產及終端復甦，下游庫存水位逐漸迴歸正常，23年9月DRAM價格開始回升，後續期間小幅波動，直至24年7月再度走低，截至24年12月31日，通用PCDRAM產品(DDR48Gb1Gx8)現貨平均價較7月高點下跌20.44%；通用NAND產品(128Gb16Gx8MLC)23年10月-24年3月連續上漲，後續期間價格基本穩定，直至9月重回跌勢，截至24年11月底，128Gb16Gx8MLC合約價較8月高點下降56%。
AI及HPC等驅動下HBM需求快速增長
受益於AI驅動下HBM、DDR5等需求拉動，2024年前三季度全球存儲市場整體呈現增長，據CFM閃存市場數據，2024年前三季度全球存儲市場同比增幅達96.8%。存儲芯片龍頭海力士、三星和美光在HBM市場形成壟斷格局；同時HBM3e平均售價約爲傳統DRAM產品的3-5倍，隨着英偉達H系列、B系列等算力芯片的迭代升級，HBM3e產能亦將持續擴張。
我國爲全球最大DRAM市場近期DDR5迎來突破
23年我國存儲市場規模逆勢增長9.3%，明顯好於同期全球-29.1%的增速，且是全球最大的DRAM市場，比重達1/3。24年12月，國產內存製造商金百達與光威相繼推出基於國產顆粒的DDR5內存產品，標誌着國產存儲的又一突破。DDR5傳輸速率、帶寬、能效等方面較DDR4有顯著提升，能更好地支持AI模型高效運行，AI手機、PC等終端應用加速滲透進程將催化DDR5需求快速增長，隨着產品良率和產能的提升，國產DDR5市場份額有望增長。
投資建議：給予行業“中性”評級
一方面從需求來看，儘管24年以來AI和高性能計算驅動下HBM需求快速增長，但當前滲透佔比仍爲個位數，主要需求仍集中在消費電子、汽車、工控等傳統終端領域，而這些領域的需求復甦總體來說不及預期；另一方面供給端增長較快，導致了存儲行業週期性波動，預計廠商爲應對市場調整，或再度面臨減產壓力。
風險提示：全球宏觀經濟下行，貿易摩擦加劇，技術創新不達預期，下游需求不達預期，業績增長低於預期，中美關係進一步惡化，黑天鵝事件，國內經濟復甦低於預期，國內外二級市場系統性風險等。