智通財經APP獲悉，華金證券發佈研報稱，隨着線寬的持續減小和3D集成電路的發展，刻蝕設備已躍居集成電路採購額最大的設備類型。SEMI數據顯示，全球刻蝕設備市場規模約210.44億美元，佔晶圓製造設備總市場規模的22%。Gartner預計，2018-2025年中國大陸新建晶圓廠項目爲74座，位居全球第一。下游明確的擴產趨勢，疊加半導體全產業鏈迫切的國產化需求，國產刻蝕設備迎來發展良機。此外，器件結構多維度升級同步刺激需求。
受益製程微縮&3D趨勢，刻蝕設備成爲第一大半導體設備。隨着線寬的持續減小和3D集成電路的發展，刻蝕設備已躍居集成電路採購額最大的設備類型。SEMI數據顯示，全球刻蝕設備市場規模約210.44億美元，佔晶圓製造設備總市場規模的22%。由於刻蝕工藝複雜、技術壁壘高，全球刻蝕設備市場集中度高;華經產業研究院數據顯示，2021年全球刻蝕設備CR3超90%。
CCP受益3D發展趨勢，製程微縮推動ICP需求增長。幹法刻蝕是目前主流的刻蝕技術，可分爲電容性等離子體刻蝕(CCP)和電感性等離子體刻蝕(ICP)兩大類。CCP適用刻蝕硬介電材料以及孔/槽結構，其需求主要來自3D NAND等3D結構發展的推動;ICP適用於刻蝕硬度低或較薄的材料以及挖掘淺槽，因此線寬持續減少是ICP需求主要推動力。中微公司和北方華創是國產刻蝕設備龍頭，分別在CCP和ICP領域佔據領先地位。
下游擴產趨勢明確，器件結構多維度升級刺激需求。根據SEMI數據，中國大陸已連續四年成爲全球最大半導體設備市場。Gartner預計，2018-2025年中國大陸新建晶圓廠項目爲74座，位居全球第一。下游明確的擴產趨勢，疊加半導體全產業鏈迫切的國產化需求，國產刻蝕設備迎來發展良機。器件結構多維度升級同步刺激需求。1)3D NAND/DRAM：高深寬比結構製造常採用CCP刻蝕設備。2)邏輯：GAA晶體管制造需要準確且高選擇性的SiGe各向同性刻蝕;通過刻蝕設備採用多重曝光技術成爲我國突破光刻極限關鍵手段。3)互連：HBM等多芯片堆疊結構以及背面供電架構均需構建TSV;深孔刻蝕是TSV的關鍵工藝，其中Bosch刻蝕是首選技術，通常選擇ICP刻蝕設備。
建議關注標的：泛林集團(LRCX.US)、東京電子、應用材料(AMAT.US)三家全球半導體設備頭部企業均實現了刻蝕、薄膜沉積等多產品線的佈局，因此華金證券認爲平臺化建設走在前列的企業更具競爭優勢。北方華創(002371.SZ)致力於打造半導體設備平臺型企業，佈局刻蝕/薄膜沉積/清洗/熱處理四大應用領域，其中ICP突破12英寸各技術節點，CCP實現邏輯/存儲/功率多關鍵製程覆蓋。中微公司(688012.SH)是國產刻蝕設備龍頭，CCP設備和ICP設備應用覆蓋度分別達到94%和95%，同時佈局薄膜沉積等其他設備，平臺化建設持續推進。
風險提示：宏觀經濟和行業波動風險，下游客戶資本性支出波動較大及行業週期性特點帶來的經營風險，下游客戶擴產不及預期的風險，市場競爭加劇風險，研發投入不足導致技術被趕超或替代的風險，研發方向存在偏差的風險等。