智通財經APP獲悉，國泰君安證券發佈研報認爲，先進封裝是大算力時代崛起的必經之路，是其突破“存儲牆”“面積牆”“功耗牆”和“功能牆”的關鍵路徑之一。臺積電COWOS封裝已經成爲當前高性能計算的主流路線，持續供不應求。HBM作爲實現“近存計算”的必經之路，也成爲存儲廠必爭之地，而如何實現極薄尺寸、極小間距下wafer的堆疊與連接是HBM公司核心競爭力。供應鏈受益環節主要在代工廠、封測廠、先進封裝及測試設備及材料領域，維持半導體行業“增持”評級。
先進封裝助力“超越摩爾”，聚焦2.5D/3D封裝，HBM快速迭代打破“存儲牆”。根據Yole，2028年，先進封裝市場規模將達到786億美元，佔總封裝市場的58%。其中，在人工智能、5G通信和高性能計算等產業的推動下，2.5D/3D封裝成爲行業黑馬，預計到2028年，將一躍成爲第二大先進封裝形式。臺積電先進封裝主要基於3D Fabric技術平臺，包括基於前端的SoIC技術、基於後端的CoWoS和InFO技術。三星先進異構封裝，提供從HBM到2.5D/3D的交鑰匙解決方案，包括了2.5D i-Cube和3D X-Cube。Intel 2.5D/3D封裝則主要通過EMIB和Foveros兩個技術方案實現。臺積電COWOS封裝已經成爲當前高性能計算的主流路線，持續供不應求，預計到2024年底，臺積電CoWoS封裝月產能有望達到3.6-4萬片。HBM作爲實現“近存計算”的必經之路，也成爲海力士、三星、美光三大存儲廠必爭之地，而如何實現極薄尺寸、極小間距下wafer的堆疊與連接是HBM公司核心競爭力。
聚焦先進封裝，關注設備及材料新機會。從工藝路線角度，COWOS帶來設備的主要變動包括：基於晶圓減薄要求及數量提升的研磨切割+CMP減薄設備、基於精準度、潔淨度提升的固晶機、熱壓鍵合設備。HBM帶來的設備變動則是從熱壓鍵合向混合鍵合的發展。材料端，包括CMP步驟提升帶動下的相關耗材(拋光液、拋光墊等)、先進封裝需求提升的電鍍液等功能性溼電子化學品、基於高集成、高功耗、輕薄化下的散熱、應力釋放需求底部填充膠、TIM熱界面材料等。
風險提示：下游需求復甦不及預期、技術進步不及預期、國際局勢不穩定。