智通財經APP獲悉，方正證券發佈研究報告稱，4月3日中國臺灣花蓮海域地震，從FAB廠分佈來看，除臺積電、聯電兩大Foundry外，中國臺灣FAB產能主要爲存儲，其中包括美光DRAM的主要產能，以及南亞、華邦、旺宏三家利基型存儲的產能，後續或面臨產線檢修影響。結合近期三星上調企業級SSD漲幅，24Q1利基存儲價格拐點已現，該行繼續強烈看多存儲板塊。
方正證券觀點如下：
存儲產品價格持續上漲。
現貨價格來看，NandFlashWafer價格持續上揚。DRAM價格同樣全線上漲，該行預計隨着AI等領域對高性能計算的需求，DDR5產品有望迎來量價齊升。合約價來看，TrendForce預計24Q2NANDFlash合約價格將大幅上漲13%-18%，其中企業級SSD漲幅最高，達20-25%。
DRAMQ2合約價預計季增3-8%。4月3日中國臺灣花蓮海域地震，從FAB廠分佈來看，除臺積電、聯電兩大Foundry外，中國臺灣FAB產能主要爲存儲，其中包括美光DRAM的主要產能，以及南亞、華邦、旺宏三家利基型存儲的產能，後續或面臨產線檢修影響。結合近期三星上調企業級SSD漲幅，24Q1利基存儲價格拐點已現，該行繼續強烈看多存儲板塊。
AI加速存力擴容，產品切換加劇產能緊缺。
站在當前時點對比上一輪週期，技術端來看，AI服務器需求快速增長，由此帶動HBM加速迭代，數據中心SSD及DRAM也在持續升級，由此滿足新一代數據中心及智能設備終端的產品需求。需求端來看，HBM產能已排至2025年，服務器、PC、智能手機仍處於AI全面滲透的早期階段，AIPhone、AIPC都將在2024~2025年開啓放量，由此在未來幾年全面帶動各大應用領域的存儲容量加速擴張。從供給端來看，原廠處於產能切換的關鍵期，DRAM產能從DDR4向DDR5切換，將造成產能自然消耗30%，而HBM晶圓產能消耗是DDR5的3倍，將進一步加劇存儲產能緊缺。原廠謹慎規劃資本開支，24年新增資本開支主要用於高端產品產能擴張。產能緊缺伴隨需求持續增長，將推動存儲價格持續上行。
HBM供不應求，三大原廠競逐HBM3E。
SK海力士預計中長期內HBM需求的年增長率將達到約60%，三星預測2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。儘管SK海力士、三星電子和美光科技均在積極擴產，但HBM供應依舊緊張。SK海力士表示2024年HBM產能已售罄，美光也表示2024年HBM產能已全部售罄，且2025年大部分產能也已分配完。同時三大家也正在推進HBM3E及最新產品的測試及量產。SK海力士當前HBM3E已實現量產，預計HBM長期需求增長率超60%，同時公司已攜手臺積電，合作開發HBM4。美光宣佈已開始量產HBM3E，並於2024Q2開始出貨。三星已開始向客戶提供HBM3E12H樣品，預計24H2開始大規模量產。
風險提示：下游需求不及預期，研發進度不及預期，行業競爭加劇。