智通財經APP獲悉，週四，SK海力士公佈了創紀錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用於人工智能開發的存儲芯片的強勁需求。
作爲英偉達的供應商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業利潤達到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期爲虧損1.8萬億韓元，高於分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達到17.6萬億韓元，而市場預期爲18.2萬億韓元。
今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應爲英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內存(HBM)方面擴大了對三星電子(SSNLF.US)和美光科技(MU.US)的領先優勢。該公司預計將在第四季度向英偉達供應其12層堆疊的HBM3E內存。
此外，企業固態硬盤(用於大型公司的數據中心)的強勁需求也提振了SK海力士收益。
SK海力士在聲明中表示：“以數據中心客戶爲中心的人工智能內存需求仍然強勁，該公司通過擴大HBM和eSSD等高端產品的銷售，實現了自成立以來的最高營收。”
“特別是HBM銷售額表現出了出色的增長，比上一季度增長了70%以上，比上年同期增長了330%以上，”該公司補充道。
Bloomberg Intelligence分析師Masahiro Wakasugi表示：“SK海力士第三季度的營業利潤率比第二季度有所改善，原因是DRAM芯片的平均銷售價格(ASP)有所提高，而美光的ASP在上一季度上漲了15%。SK海力士在HBM芯片方面的主導市場份額也幫助實現穩健的營業利潤率，但由於智能手機和PC的原因，對標準DRAM的需求可能正在放緩。NAND芯片的平均售價可能會隨着美光的上漲而略有上升。”
更廣泛的存儲芯片市場正在從智能手機和PC需求的低迷中復甦。內存芯片的價格在經歷了長期低迷後已經反彈。
SK海力士表示，今年的資本支出可能會超過此前的計劃，以跟上人工智能硬件支出的增長步伐。
據悉，該公司今年宣佈了一系列投資計劃，包括斥資38.7億美元在美國印第安納州建立一家先進封裝工廠和人工智能產品研究中心。
在韓國，SK海力士還花費146億美元建造一個新的存儲芯片綜合體，並繼續進行其他在韓國投資，包括政府支持的龍仁半導體集羣項目。
HBM芯片需求強勁增長
在SK海力士創紀錄業績的背景下，業內人士對HBM未來強勁需求的樂觀預期似乎沒有絲毫減退。
在週二的一次活動上，SK海力士首席執行官Kwak Noh-jung表示，該公司計劃向包括英偉達在內的客戶大規模生產和供應其最先進的人工智能芯片12層HBM3E。
“我們在年底前大規模生產12層HBM3E的計劃沒有變化。在發貨和供應時間方面一切順利，”他表示。
Kwak Noh-jung發表上述言論之際，半導體研究公司TrendForce的一名高級研究員預計，在英偉達和其他人工智能芯片製造商需求飆升的推動下，HBM的市場明年將繼續強勁增長。
TrendForce研究運營高級副總裁Avril Wu表示，她預計明年全球HBM市場將增長156%，從今年的182億美元增長到467億美元。另外，預計其在DRAM市場的份額將從今年的20%上升到2025年的34%。
據TrendForce稱，從主要人工智能解決方案提供商的角度來看，HBM規範要求將向HBM3E發生重大轉變，預計12層堆疊產品將增加。該機構補充道，這一轉變預計將提高每個芯片的HBM容量。
Wu表示，在HBM產品中，第五代HBM芯片HBM3E的份額預計將從今年的46%增加到2025年的85%，主要由英偉達的Blackwell GPU推動。
她表示，英偉達明年將繼續主導人工智能市場，加劇三星電子、SK海力士和美光科技等主要存儲芯片製造商之間的競爭。
TrendForce的研究人員預測，第六代HBM4的樣品將於明年晚些時候發佈，預計英偉達等公司將於2026年正式採用。
三星陷入困境
與SK海力士形成鮮明對比的是，競爭對手三星早些時候警告稱，其第三季度利潤將低於市場預期，併爲令人失望的表現道歉，承認其在高端芯片供應方面難以取得進展。
目前，三星向英偉達、谷歌(GOOGL.US)、AMD(AMD.US)和亞馬遜(AMZN.US)旗下AWS等客戶提供第四代8層HBM3芯片，並向中國公司提供HBM2E芯片。
三星仍在努力獲得英偉達對其HBM3E芯片的批准。
隨着三星在HBM領域與競爭對手展開激烈競爭，負責三星半導體業務的DS部門負責人、三星副董事長Jun Young-hyun誓言要大幅削減芯片高管職位，並重組半導體相關業務。
三星還成立了專門的HBM芯片開發團隊，並與臺積電(TSM.US)就HBM4芯片達成合作。