智通財經APP獲悉，東吳證券發佈研究報告稱，伴隨海外大廠持續降低稼動率、去庫存，存儲板塊自23Q3觸底反彈進入漲價上行通道。DRAM、NAND顆粒價格均自23Q4起漲，Wafer漲價趨勢明顯。隨着海外大廠積極減產提價疊加AI催化，下游拉貨意願強烈，存儲市場供不應求行情顯著。隨着需求的進一步回暖，漲價有望持續，量價齊升。此外，HBM、DDR5等高附加值產品滲透率逐步提升，有望拉動存儲價格進一步上漲。
東吳證券觀點如下：
存儲產品價格持續上漲，有望打開量價齊升局面。
伴隨海外大廠持續降低稼動率、去庫存，存儲板塊自23Q3觸底反彈進入漲價上行通道。DRAM、NAND顆粒價格均自23Q4起漲，Wafer漲價趨勢明顯。隨着海外大廠積極減產提價疊加AI催化，下游拉貨意願強烈，存儲市場供不應求行情顯著。隨着需求的進一步回暖，漲價有望持續，量價齊升。此外，HBM、DDR5等高附加值產品滲透率逐步提升，有望拉動存儲價格進一步上漲。
行業整體回暖，國內模組廠業績拐點已現。
1)海外市場：收入端，存儲行業下行導致多家企業的營收出現下跌，但AI發展帶來了對服務器和移動端產品的高需求，部分公司業績回彈。利潤端，2023年Q1行業整體毛利率大幅下降，企業通過提升產品ASP成功提升盈利能力。各公司通過成本管理收窄虧損額，行業逐步回暖。頭部公司的庫存週轉天數下降，預示市場環境逐步改善。產品端，NAND業務2024Q1稼動率仍較低，而HBM和DDR5產能有所回升，資本支出將聚焦於這一領域。整體來看，DRAM和NAND供給逐季減少，產品市場價格有望提升，根據TrendForce預測，NAND Flash2024Q1合約價季漲幅爲18%-23%，DRAM Q1漲幅13-18%。2)國內市場：業績方面23Q3絕大部分廠商都實現了環比增長，部分廠商營收實現同比增長，隨着23年業績預告逐步公告，模組廠Q4已經迎來業績拐點。
智能手機、PC等下游需求改善疊加HBM等新品需求提升，存儲行業成長動能充足。
隨着數字化的發展，智能手機、智能穿戴設備、PC、服務器等產品需求量增加，帶動了存儲芯片的需求增長。2023Q4全球智能手機出貨量達到3.261億臺，可穿戴設備2023Q3全球出貨量同比增長2.6%，達到1.5億臺。根據Gartner數據，2023Q4全球PC出貨量總計6330萬臺，比2022Q4增長0.3%。根據IDC數據，預計服務器2026年全球市場規模和出貨量將達到1665.0億美元和1885.1萬臺。
投資建議：市場擔心前期存儲板塊漲價主要系海外原廠控產導致，持續性堪憂，但該行認爲下游需求逐步回暖疊加HBM新品需求及DDR5滲透率持續提升，存儲板塊成長動能持續接力。存儲國產化勢在必行，重點關注存儲產業鏈。通過對產業鏈主要玩家減產動作、庫存及漲價傳導業績改善觀測，大廠HBM及DDR5等新品擴產明確，國產化存儲產品突破、AI及下游需求回暖等持續催化，該行在當前時點看好存儲漲價傳導業績反彈及AI算力存儲國產主線。
伴隨下游AI服務器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領域需求復甦催化拉動，基於產業配套及國產化替代等邏輯，該行認爲存儲板塊重點看兩條主線：
1)漲價邏輯業績反彈標的：佰維存儲(688525.SH)(Q4毛利率環比提升超過13pcts)、德明利(001309.SZ)(全年扭虧，第四季度淨利潤大幅增長)、江波龍(301308.SZ)(營收破百億元，四季度扭虧爲盈)、普冉股份(688766.SH)等。
2)HBM及AI算力存儲國產化相關標的：佰維存儲(研發封測一體化廠商)、朗科科技(300042.SZ)(國內大灣區算力樞紐核心存儲模組廠商)、香農芯創(300475.SZ)(海力士國內核心分銷商)、萬潤科技(002654.SZ)(與國內存儲大廠密切合作)、同有科技(300302.SZ)、瀾起科技(688008.SH)等。
風險提示：漲價傳導不及預期風險;宏觀經濟形勢變化風險;龍頭廠商減產不及預期風險;下游復甦不及預期風險。