智通財經APP獲悉，TrendForce集邦咨詢調查顯示，由于目前叁大原廠産能吃緊，DRAM市場仍處供不應求情況，整體市況已正式進入上漲周期，原廠看准機會大幅調升specialty DRAM月報價，帶動部分顆粒單月價格漲幅逼近雙位數;其中以越小容量、越利基的産品漲幅最大。以2月合約價來看，DDR2及DDR3的漲幅仍高;DDR4則受到DDR3的追價而持續上揚，目前在specialty DRAM中仍屬最大宗應用的DDR3 4Gb，其顆粒均價單月漲幅約6.8%。
TrendForce集邦咨詢進一步表示，長期由台廠主導的DDR3 2Gb嚴重缺貨的情況持續，有價無量已成該産品常態，而追價者成爲造成市場高低價價差擴大的主因，本月均價漲幅近9%。
DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上揚所迫，叁星(Samsung)本月價格明顯拉升，促使低價及均價成長約6%;DDR4 8Gb則隨着主流server與PC走勢而上，漲幅約4%。必須說明的是，此爲因應月合約所做的價格調整，以反應當下市場狀況，但若細究部分tier-one客戶采取季度合約議價(quarterly lock-in deal)者，其整季價格則不受此月價格影響。
叁大原廠DDR3産出仍緩步下滑，台廠彈性調配産能求獲利最大化
在目前specialty DRAM市況火熱的情況下，DDR3的獲利水平逐漸高過DDR4及邏輯IC産品，也帶動供應商的策略開始有所調整。
韓廠方面，叁星(Samsung)規劃將Line 13持續轉換至CMOS Image Sensor的長期策略不變，然受到近期價格強勁上漲影響，其稍有縮減原先規劃的産能進度。SK海力士(SK Hynix)亦采相同策略，舊廠M10于去年底調降産能後，2021年基本上都維持在相似水位。
隨着最先進的1Z及1 alpha nm良率有所拉升，美光(Micron)將逐步增加先進制程投片比重，因此部分20nm及更成熟的制程礙于台灣廠區空間有限，未來會慢慢挪往位于美國的Fab 6。整體而言，叁大原廠的DDR3産出仍持續下滑，然下滑速度較原先預期趨緩。
台廠方面，南亞科(Nanya Tech)目前已將部分20及30nm的DDR4投片轉換回DDR3;華邦(Winbond)近年重心皆在Flash業務，DRAM産能在高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此該公司選擇重點支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量産品，也因華邦在該領域擁有相對更高的市占率，掌握更多定價優勢。力積電(PSMC)先前主要鎖定在邏輯IC代工，但隨着DDR3代工價顯着上揚，將轉移部份産能至DRAM。整體而言，未來叁大台廠都將依據毛利高低于各産品間彈性調配産能。然而，TrendForce集邦咨詢認爲，即便所有供應商加以因應，此波specialty DRAM供不應求的態勢至少延續至今年上半年，後續價格漲幅將視各原廠産能調整狀況而定。