6個交易日累計漲幅65.8%，中車時代電氣（03898）瘋狂行情仍在上演。
智通財經APP瞭解到，繼7月6日單日暴漲28%之後，中車時代股價的表演纔剛剛開始，7月9日、13日，公司再度分別錄得22.4%、14.1%的單日急速拉漲，6個交易日的累計漲幅高達65.8%，期間共計30億港元資金參與，要知道此前公司67個交易日總成交額才能達到30億港元規模。
當前資金瘋狂涌入中車時代電氣，不僅是因爲傳統城軌、鐵路業務迎來機遇，還有在IGBT行業規模、熱度爆發性增長的當下，公司是最有潛力搶下半壁江山的那家龍頭企業。
IGBT行業爆發正在上演
作爲半導體功率器件中最有潛力的IGBT，當前市場規模正快速增長。智通財經APP瞭解到，IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（電力晶體管）的低導通壓降兩方面的優點。根據ICInsights的預測，未來半導體功率器件中，MOSFET與IGBT器件將是最強勁的增長點，其中IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作爲國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
隨着軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的加速發展，國內IGBT需求迎來爆發，近幾年國內IGBT市場規模呈加速增長趨勢。根據IHS報告，2018年全球IGBT市場規模爲62.4億美金，中國市場規模爲19.23億美金，佔全球市場規模比例達到30.82%。隨着中國在新能源領域持續大規模地投入，中國IGBT市場增速將快於全球，中國IGBT市場佔比將進一步提升。
目前新能源汽車的全面爆發，更是給IGBT加了一把火。智通財經APP瞭解到，新能源車的成本結構中，排在第一的電池成本可以佔到總成本40%以上，第二大的則是電機驅動系統,可以達到總成本的15%-20%,IGBT則佔到電機驅動系統成本40%-50%，即IGBT能佔總成本接近8%的比例。而且相對於傳統燃油車功率半導體器件電壓低，只需要Si基的MOSFET而言，新能源汽車在600V以上MOSFET無法達到要求成，必須要換成IGBT，因此IGBT也是僅次於電池以外第二大受益的零部件。
以SIC-MOS的成熟後單車平均IGBT用量逐漸下滑至2025年的430美元/車，2025年預測新能源車銷量504萬輛計算，中國2025年車載IGBT市場規模達22億美金，屆時全球新能源車數量預計爲國內的3倍，全球車載IGBT市場規模就高達66億美金。
當前最新產業數據得知，IGBT已經逐步呈現供不應求狀態。根據富昌電子的2020年Q1市場行情報告顯示，目前英飛凌、安森美、Microsemi等IGBT供應商的供貨週期普遍維持在13-30周左右，且交期有延長趨勢，而IGBT正常的供貨週期是在7-8周左右，可見IGBT供應的緊張態勢。
與此同時，國內IGBT供應企業還享受國產替代這一重大利好邏輯。智通財經APP瞭解到，由於IGBT行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內企業在產業化進程中一直進展緩慢，目前全球IGBT市場主要被國外公司所佔領，2017年全球IGBT市場中，英飛凌以27.1%的市佔率排名第一，三菱以16.4%排名第二，排名第三的富士電機市佔率爲10.7%。全球前5公司市佔率達67.5%，行業集中度較高，國內IGBT龍頭斯達半導全球市佔率僅2.2%。
隨着全球製造業向中國的轉移，我國功率半導體市場佔世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場，但IGBT產品嚴重依賴進口，在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口，尤其在國內供應鏈安全時常受威脅的背景下，下游客戶紛紛增加國產供應商份額以備不時之需，IGBT國產化需求已是刻不容緩，國產替代邏輯順暢。
而在這重重利好的大背景下，中車時代電氣或是受益最具確定性的龍頭企業。
絕對技術領先優勢下，中車時代有望脫穎而出
隨着市場蛋糕越來越大，國內參與者也越來越多。智通財經APP瞭解到，受IGBT市場需求大幅增長推動，國內IGBT行業近年開啓加速增長。除華爲開始佈局之外，比亞迪微電子、中車時代電氣、斯達半導、士蘭微等部分企業已經實現量產。此外，近年來，原從事二極管、三級管、晶閘管等技術含量較低的功率半導體廠商，華微電子、揚傑科技、捷捷微電以及臺基股份等紛紛向MOSFET與IGBT領域突圍，部分下游應用廠商也向上游IGBT領域佈局。
但能夠撼動國際巨頭地位的，或許還是隻有中車時代電氣。智通財經APP瞭解到，中車時代電氣2008年進入IGBT業務，2014年生產出第一個分立器件，公司也是在3300-6500V領域國內唯一的製造商。基於其3300V分立器件和模塊，時代電氣的IGBT產品最早應用於大功率機車，而且公司IGBT產品還進入了中國國家電網的UHVDC(超高壓直流)項目、印度的機車市場和俄羅斯的分立器件市場。
目前行業絕對領導者是德國的英飛凌，擁有最先進的第七代技術，市佔率超過半壁江山，當前特斯拉、吉利、一汽大衆等都是英飛凌供貨。中車技術水平是和英飛凌同代，但略弱於英飛凌，主要是一些非關鍵性指標小幅弱於英飛凌，公司當前仍在追趕。而國內市佔率第一的斯達半導，其實基本沒有自己的技術和生產線，多是貼牌英飛凌。比亞迪半導體則主要是自供，技術水平還停留在第四代和第五代。
據銷售市場資料顯示，當前中車時代已經逼迫英飛凌不斷降價來保住市場，已經表明中車時代技術上已經嚴重威脅到了英飛凌行業領先者的地位。同時，從客戶的實際應用反饋數據來說，基本認爲和英飛凌差別不大，相較於其他幾個品牌則是明顯拉開了差距。
並且，從中車內部人員溝通中，同樣能體會到當前中車時代的技術領先優勢。智通財經APP瞭解到，因爲認可中車在IGBT領域的技術水平和研發能力，公司有很多技術員工都是清華畢業，或是歐美專門學習研究IGBT的回國加入中車，落戶株洲。按照他們的原話來說，現在的重點就是迭代技術，追趕英飛凌，國內同行完全不構成威脅，國內唯一對手也許只是華爲。
目前公司正在進行科創板上市，來將技術優勢轉化爲勝勢。
科創板上市催化，碳化硅後勁支撐
科創板上市基本確定，產能擴張也已提上日程。智通財經APP瞭解到，中車時代電氣旗下中車半導體正在籌劃上市國內的科創板，已經在做上市輔導了，並且戰略投資方面公司也已經跟全球知名機構正在進行商談。此次公司上市募資除繼續投入研發外，就是用於產能擴張。據悉，公司目前有一個工廠主要供貨是高鐵，另外也已經和東風、廣汽合資建廠進行中，雖然因爲2020年初的公共衛生事件而有所耽誤，但是2021年仍可以進行投產，且每一個廠的產能都超過當前國內市佔率暫時第一的斯達半導生產力。
要知道的是，由於IGBT領域技術更迭較慢，部分產品可以用到5-10年之久，同時IGBT的進入壁壘是功率半導體裏最高，從芯片設計到模組都需要很長時間技術積累以及在實際應用中不斷調試，注重資深工程師的經驗積累，高壁壘重積累的特性決定中車時代這樣高投入，是能有足夠回報。
此外，公司碳化硅佈局的大量投入還在爲長期發展鋪路。智通財經APP瞭解到，碳化硅和氮化鎵是未來功率半導體的核心發展方向，相對於傳統的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率爲硅的4-5倍；擊穿電壓爲硅的8倍；電子飽和漂移速率爲硅的2倍，因此，碳化硅特別適於製造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件，主要應用是超級充電，400公里續航只需要5~10分鐘，是一個非常有潛力的千億賽道。
雖然當前SIC成本由是Si基的4-5倍，因此當前仍以Si仍爲應用主流，但隨着未來2-3年的時間裏，當SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍，SIC的時代就將來臨。中車時代官網除了展示IGBT產品外，還有展示5款SiC肖特基（SICSBD產品），目前中車碳化硅的技術處於國際領先齊頭並進的水平，相信在未來3-5年，SIC基材逐漸侵佔Si基材份額的大趨勢下，公司又將收穫一枚業績增長強驅動。
綜上而言，作爲具備IGBT技術絕對領先優勢的國內企業，面對行業爆發性增長和國產替代大需求，以及科創上市帶來的全面擴產，公司有望在不久的將要迎來業績爆發式增長，當前資金瘋狂涌入，等待的或是一波兇猛的中長期行情。