智通財經APP獲悉,美東時間9月29日,據媒體報道,荷蘭半導體公司恩智浦(NXPI.US)表示,已在美國亞利桑那州開設了一家工廠,生產用於5G電信設備的氮化鎵芯片。
據悉,氮化鎵是硅的替代品,被稱爲第三代半導體。 這種材料是5G網絡中的一個關鍵成分,因爲它可以處理5G網絡中使用的高頻,同時比其他芯片材料消耗更少的功率和佔用更少的空間。
恩智浦表示,這座新工廠將生產6英寸芯片,此類芯片的尺寸是大多數傳統硅芯片的一半,但在替代材料中很常見。該公司表示,新工廠將有一個研究和開發中心,以幫助工程師加速氮化鎵半導體的開發和專利申請。恩智浦表示,預計該廠將於年底前達到全部生產能力。
截至美股收盤,恩智浦微跌0.57%,報123.29美元。