智通財經APP獲悉，中信證券發佈研報稱，12月2日晚間，BIS修訂了《出口管理條例》(EAR)，對HBM和先進DRAM的限制加碼，包括新增限制HBM的技術參數、對高端製造設備進一步管制等。後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM存儲原廠有望突破HBM產品，未來看Hybrid Bonding，佈局相關環節的廠商有望核心受益，看好高端存儲產業鏈國產替代。
中信證券主要觀點如下：
美國對華先進存儲限制再次升級，主流HBM產品受到管制。
12月2日晚間，BIS修訂了《出口管理條例》(EAR)，對HBM和先進DRAM的限制加碼，新增限制HBM的技術參數，主流HBM產品受管制。
1)新增HBM管制物項編碼：針對HBM增加了3A090.c管制物項編碼，存儲帶寬密度超過2GB/s/mm²即受到管制，BIS表示當前所有量產中的HBM均受限(該行測算HBM1的存儲帶寬密度已經超過2GB/s/mm²)；3A090.c主要針對獨立HBM，而對於HBM與邏輯芯片合封的產品，則主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限(根據3A090.a/3A090.b)；此外，對於美國或盟友企業在中國工廠封裝等情形，設置了許可例外條件，當滿足HBM內存帶寬密度小於3.3GB/s/mm²等一系列條件時(該行測算對應HBM2及以下)，可申請許可證例外授權，對產品去向仍有嚴格管控。
2)修改先進DRAM定義：在限制半導體設備時，將先進DRAM的技術標準從“18納米半間距或更小”修正爲當DRAM集成電路的存儲單元面積小於0.0019μm²或存儲密度大於0.288Gbit/mm²時(根據TechInsights，存儲單元面積小於0.0019μm²主要對應1αnm製程DRAM及以上，三星8 Gb Non-EUVL D1z DDR4/美光科技16 Gb D1z DDR4/SK海力士16 Gb D1z DDR4 C-die的存儲密度分別爲0.299/0.247/0.296bit/mm²，因此先進DRAM定義修訂後主要限制1αnm製程及以上)，該集成電路即符合“先進節點集成電路(Advanced-Node IC)”，從而限制立體堆疊3D DRAM等技術，達到這一水平的國內DRAM存儲廠採購含美技術設備需要許可證。
HBM製造設備端同樣受限，“商業管制清單CCL”新增8類高端設備管制。
BIS在管制清單中新增8種品類(ECCN 3B001)，後續此類設備的採購均需要許可要求或推定拒絕，與高端存儲相關的主要包括：用於封裝含硅通孔(TSV)芯片(如HBM芯片)的刻蝕設備；用於在先進集成電路的金屬線之間沉積低介電材料的設備；用於先進存儲器集成電路中低電阻率金屬(鉬和釕)的沉積設備；用於先進DRAM中絕緣體沉積的設備部分用先進節點鎢沉積的物理沉積設備。
國產算力芯片目前配置情況：多采用HBM2/2E，相較海外落後2代以上。
HBM是能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求的新型存儲，於2014年推出，配套算力需求持續爆發式增長，該行測算至2025年全球HBM容量需求將接近17億GB，佔DRAM出貨總容量超10%，佔DRAM市場產值超30%。
國產訓練算力芯片多采用HBM2或HBM2E等存儲顆粒，而海外最新一代產品如NVIDIA新款AI芯片H200及B100、B200已配備HBM3E較爲先進的存儲顆粒。而部分AI推理卡如NVIDIA L系列在成本考量下仍搭載GDDR；此外，部分輕量級AI推理芯片或將搭配LPDDR使用，如三星計劃推出的AI推理芯片Mach-1。
本次美國對華先進存儲限制將會影響國內廠商對海外原廠HBM2/2E的採購，該行預計後續一方面國內原廠有望推出國產HBM接替海外，另一方面也存在短期將AI算力芯片配套存儲從HBM降規至傳統DDR/GDDR類DRAM。
投資策略：
後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM存儲原廠有望突破HBM產品，HBM製造核心看封裝工藝升級，核心工藝包括TSV/Microbump、MR-MUF、CoWoS等，未來看Hybrid Bonding，佈局相關環節的廠商有望核心受益：
1)佈局先進封裝的廠商；2)材料和設備環節相關廠商。
風險因素：國產算力芯片研發進展不及預期；國產算力芯片產能不及預期；大模型迭代速度不及預期；國產半導體設備研發進展不及預期；國產存儲芯片客戶拓展不及預期；地緣政治風險等。