智通財經APP獲悉，中信建投發佈研報稱，國家大基金三期於5月24日成立，註冊資本3440億元，規模大幅提升，其中建設銀行、中國銀行、農業銀行、工商銀行、交通銀行、郵儲銀行，分別出資215、215、215、215、200、80億元，持股比例合計約33%。據第一財經，此次大基金三期，除了延續對半導體設備和材料的支持外，更有可能將HBM等高附加值DRAM芯片列爲重點投資對象。隨着國家大基金的落地，未來將助力國內晶圓廠持續擴產以及先進製程的發展，材料需求有望持續提升，材料企業有望受益。
中信建投主要觀點如下：
國家企業信用信息公示系統顯示，國家集成電路產業投資基金三期股份有限公司(下稱“國家大基金三期”)於5月24日成立。國家大基金三期的法定代表人爲張新，註冊資本3440億元。
國家大基金三期落地，相關半導體材料有望受益
大基金一期成立於2014年9月，註冊資本987.2億元，投資主要分佈在集成電路製造、設計、封測、裝備材料等。投資公司包括中芯國際、華虹半導體、長江存儲、雅克科技等。
大基金二期成立於2019年10月，註冊資本2041.5億元，主要聚焦集成電路產業鏈佈局，重點投向芯片製造及設備材料、芯片設計、封裝測試等產業鏈環節，包括長鑫新橋、長江存儲、中船特氣、華虹半導體等。
大基金三期註冊資本3440億元，較此前規模大幅提升。股權結構上，大基金三期的股東包括財政部、國開金融有限責任公司、上海國盛（集團）有限公司、工商銀行、農業銀行、建設銀行、中國銀行、交通銀行、北京亦莊國際投資發展有限公司、深圳市鯤鵬股權投資有限公司等19家公司，其中建設銀行、中國銀行、農業銀行、工商銀行、交通銀行、郵儲銀行，分別出資215、215、215、215、200、80億元，持股比例分別爲6.25%、6.25%、6.25%、6.25%、5.81%、2.33%，持股比例合計約33%。投資方向上，據第一財經，此次大基金三期，除了延續對半導體設備和材料的支持外，更有可能將HBM等高附加值DRAM芯片列爲重點投資對象。