智通財經APP獲悉，國金證券發佈研報稱，23年是AI訓練的元年，24年將是AI推理的元年，主要歸因於海外有望持續推出包括Sora在內的AI應用產品，疊加國內國央企發力AI應用，這將有力帶動AI推理的需求。芯片領域，該行認爲算力和存儲是兩個率先受益的領域，特別是在當前國產化大趨勢下，算力和存儲將決定未來十年AI勝負的關鍵，國產HBM未來有較大的需求空間，國內與HBM相關產業鏈的公司有望加速發展。持續看好HBM相關產業鏈公司，和受益於存儲器漲價的模組及利基存儲芯片公司，重點關注香農芯創(300475.SZ)、聯瑞新材(688300.SH)、通富微電(002156.SZ)、兆易創新(603986.SH)、江波龍(301308.SZ)等。
國金證券主要觀點如下：
HBM是AI時代的必需品：HBM解決了傳統GDDR遇到的“內存牆”問題，採用了存算一體的近存計算架構，通過中間介質層緊湊快速地連接信號處理器芯片，極大節省了數據傳輸的時間與耗能，HBM採用堆棧技術較傳統GDDR節省較大空間佔用。在應對未來雲端AI的多用戶，高吞吐，低延遲，高密度部署需求，計算單位劇增使I/O瓶頸愈加嚴重，使用GDDR解決代價成本越來越高，HBM使得帶寬不再受制於芯片引腳的互連數量，在一定程度上解決了I/O瓶頸。綜合來看，高帶寬、低功耗、高效傳輸等性能使其成爲高算力芯片的首選。
HBM核心技術在於硅通孔技術(TSV)和堆疊鍵合技術，對封裝技術和散熱材料提高需求。HBM通過SIP和TSV技術將數個DRAM裸片垂直堆疊，在DRAM晶片上打數千個細微的孔，通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術，可顯著提升數據傳輸速度。同時，SK海力士採用MR-MUF鍵合工藝，在芯片之間用液態環氧模塑料作爲填充材料，實現了更低的鍵合應力和更優的散熱性能，TSV+堆疊鍵合工藝成爲當前HBM的理想方案，但隨着堆疊層數增加，散熱要求進一步增加，混合鍵合有望成爲下一代HBM4選擇的方案。但無論何種方案，HBM對EMC提出分散性和散熱性要求，EMC和填料價值量將大幅提升。
23年全球HBM產值約43.6億美元，2024年有望翻4倍達到169億美元。由於HBM售價高昂、獲利高，進而導致較高資金投入，同時，HBM較DDR5同製程與同容量尺寸大35-45%、良率則比起DDR5低約20-30%;生產週期也較DDR5多1.5-2個月，受益於AI需求強勁，GPU廠商提前鎖單HBM產能，推動三大原廠持續積極擴產。根據集邦諮詢數據，截至2023年底，行業內整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約爲250K/m，佔總DRAM產能(約1,800K/m)約14%，供給位元年成長約260%。2023年HBM產值佔DRAM整體約8.4%，約43.56億美元，預估至2024年底將達169.14億美元，佔DRAM產值約20.1%。
投資邏輯：
核心關注國內與HBM上下游相關產業鏈廠商：該行認爲23年是AI訓練的元年，24年將是AI推理的元年，主要歸因於海外有望持續推出包括Sora在內的AI應用產品，疊加國內國央企發力AI應用，這將有力帶動AI推理的需求。芯片領域，該行認爲算力和存儲是兩個率先受益的領域，特別是在當前國產化大趨勢下，算力和存儲將決定未來十年AI勝負的關鍵，國產HBM未來有較大的需求空間，國內與HBM相關產業鏈的公司有望加速發展。
HBM對DRAM先進製程造成排擠效應，有望推動主流DRAM持續漲價，重點關注存儲模組：歸因於三個方面：
1)三大原廠繼存儲器合約價翻揚後，開始加大先進製程的投片，產能提升將集中在24年下半年；
2)受益於AIPC、AI手機和服務器持續升級，預期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加至50%，將消耗更多DRAM先進製程產能；
3)由於HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預期需求也將看增，但受到2023年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。在各家優先排產HBM情況下，有望導致DRAM產能緊張，重點建議關注受益於主流存儲漲價邏輯的存儲模組公司以及相關的存儲封測和材料公司。
存儲大廠產能轉向DDR5/HBM，有望加速退出利基存儲市場，將爲國內利基型存儲芯片廠商帶來發展機會：由於三大廠商加大投入HBM與主流DDR5規格內存，有望減少供應DDR3等利基型DRAM的供應，而隨着終端需求復甦，利基市場有望迎來短期的產能緊缺，價格有望迎來上揚，核心建議關注國內利基存儲廠商。
風險提示：產能擴產不及預期、AI發展不及預期、技術提升不及預期等。