智通財經APP獲悉，韓國半導體制造商SK海力士正在加大對先進芯片封裝技術的投資，希望抓住對於人工智能發展至關重要組件——高帶寬內存(HBM)的日益增長需求。據瞭解，該公司位於利川的工廠計劃投資超過10億美元用於擴展和改善其芯片製造的最終步驟。
三星電子前工程師、現SK海力士封裝開發主管李康旭(Lee Kang-Wook)表示，HBM作爲最受追捧的AI內存的優勢在於其創新封裝過程，而進一步的改進將是降低功耗、提升性能並鞏固公司在HBM市場領先地位的關鍵。
李康旭專門研究半導體的組合和連接的先進方法，這在現代AI及其通過並行處理鏈處理大量數據的時代日益重要。儘管SK海力士尚未公佈今年的資本支出預算，但分析師平均預計爲14萬億韓元(約合105億美元)。這表明，可能佔到總支出的十分之一的先進封裝技術是該公司的主要優先事項。
李康旭在一次採訪中表示：“半導體行業的前50年是關於前端的，即芯片本身的設計和製造，但接下來的50年將全是關於後端，即封裝。”
值得一提的是，SK海力士曾被英偉達(NVDA.US)選中，爲其標杆AI加速器提供HBM，使這家韓國公司的價值飆升至119萬億韓元。自2023年初以來，其股價增長了近120%，使其成爲韓國第二大價值公司，表現優於三星和美國競爭對手美光科技(MU.US)。
現年55歲的李康旭曾在2000年因其3D集成技術的研究而在日本東北大學獲得博士學位。2002年，他加入三星電子的存儲器部門，領導了基於通孔硅(TSV)的3D封裝技術的開發。
他的這項工作後來成爲HBM開發的基礎。HBM是一種高性能內存，通過在芯片之間堆疊並用TSV連接，以實現更快、更高效的數據處理。
但在智能手機時代之前，三星更多的投注在其他領域，而全球芯片製造商通常將芯片的組裝、測試和封裝任務外包給亞洲較小國家。
因此，當SK海力士及其美國合作伙伴AMD(AMD.US)於2013年向世界推出HBM時，他們在兩年內未受到挑戰，直到三星在2015年底開發了HBM2。李康旭於三年後加入SK海力士。他們自豪地開玩笑說，HBM代表“Hynix's Best Memory”。
對此，分析師表示，“SK海力士的管理層對這個行業的發展方向有更好的洞察力，併爲此做好了充分的準備。而三星則掉以輕心。”
ChatGPT於2022年11月發佈，這是李康旭一直在等待的時刻。那時，他的團隊已經開發了一種名爲大規模重流鑄模填充(MR-MUF)的新封裝方法。SK海力士與日本Namics公司合作，涉及相關材料和專利。
目前，SK海力士正將大部分新投資用於推進MR-MUF和TSV技術的發展。
值得注意的是，三星電子(Samsung)這家公司在過去幾年中一直受到其最高層繼承問題的干擾，但現在正在努力回擊或重新奪回市場地位。
去年，英偉達授予三星HBM芯片的合同，三星公司表示，已經開發了第五代HBM技術，HBM3E，擁有12層DRAM芯片和業界最大的36GB容量。
與此同時，總部位於美國愛達荷州博伊西的美光科技也在業界意外宣佈，已開始批量生產24GB、八層HBM3E，這將成爲英偉達的H200 Tensor Core單元的一部分，並計劃在第二季度出貨。
鑑於SK海力士正在韓國本土擴展和提升技術，並計劃在美國建立價值數十億美元的先進封裝設施，李康旭對SK海力士面對日益激烈的競爭前景持樂觀態度。他認爲，目前的投資爲滿足未來HBM代際需求奠定了基礎。