智通財經APP獲悉，東吳證券發佈研究報告稱，先進封裝主要通過兩方面提升邏輯芯片的算力：一、提升處理器集成度，從而提升性能;二、提升處理器和存儲器間的連接帶寬、減小連接功耗，從而解決“內存牆”和“功耗牆”，提升芯片算力。隨着AI大語言模型市場的發展，模型訓練和推理應用所需算力不斷提升。
▍東吳證券主要觀點如下：
先進封裝本質目的是增加觸點連接，以代替製程提升。
量子隧穿效應導致先進製程的研發製造成本過高，而良率過低，先進封裝技術能夠彌補製程提升的困難。先進封裝技術的本質爲提升連接效率。其中，重佈線層技術(RDL)重新佈局裸片I/O觸點，支持更多、更密引腳，廣泛用於晶圓級封裝(WLP);硅通孔技術(TSV)通過將芯片的焊點打穿、在通孔裏填充金屬材料實現芯片與芯片、芯片與基板的垂直連接，是2.5D和3D封裝的關鍵解決方案;
凸塊技術使用凸點(bump)代替傳統引線，增加觸點、縮小傳輸距離和電阻;混合鍵合技術(Hybrid Bonding)通過將芯片或晶圓平面上的銅觸點拋光後進行退火處理，使得連接平面完全貼合，以無凸點(Bumpless)的方式縮減連接距離和散熱能力。先進封裝對製造設備精度、無塵環境、測試精度要求極高。技術升級方向爲增加連接效率(如使用玻璃基板代替有機基板)和降低成本(如使用“硅橋”代替硅中介層)。
先進封裝賦能高速計算，算力需求提升，先進封裝產能供不應求。
先進封裝主要通過兩方面提升邏輯芯片的算力：一、提升處理器集成度，從而提升性能;二、提升處理器和存儲器間的連接帶寬、減小連接功耗，從而解決“內存牆”和“功耗牆”，提升芯片算力。隨着AI大語言模型市場的發展，模型訓練和推理應用所需算力不斷提升;
國內新入局AI企業衆多，智算芯片需求旺盛。根據IDC，至2026年，國內智算規模可達2023年的3倍。與此同時，供給端高性能GPU產能明顯不足，先進封裝產能成爲主要瓶頸。2023年8月，英偉達表示計劃2024年將H100產能拉高至少3倍。2023年9月，臺積電表示CoWoS產能只能儘量滿足客戶80%的需求。先進封裝發展前景、國產替代空間廣闊。
先進封裝行業壁壘高，專業封測廠商不具優勢;海外龍頭加速擴產，國內企業追趕。
先進封裝行業壁壘高，且相比OSAT廠，Fab廠和IDM廠更具優勢，主要原因有二：第一，技術精度高，且高度依賴晶圓製造技術、與芯片設計環節的協同，例如重佈線層(RDL)、硅通孔(TSV)、混合鍵合(HB)需要在裸晶本體上進行線路設計、刻蝕、電鍍，晶圓廠在技術和硬件方面更有優勢;第二，晶圓廠主導了先進封裝領域的技術路線和訂單分配，封裝廠需要與上游廠商密切合作以獲取訂單。面對高增需求，海外龍頭加大擴產力度，但擴產難度大、週期長。臺積電、三星、英特爾、日月光紛紛增加先進封裝產線，但由於上游設備供應不足等原因，擴產週期普遍達2-3年。
與此同時，國內龍頭積極佈局先進封裝領域。長電科技聚焦XDFOI新技術、2.5D/3D技術的量產;通富微電聚焦消化高端CPU、GPU封裝產能，現已涉及AMDMI300的封裝;甬矽電子積極研發Fan-in/Fan-out、2.5/3D晶圓級封裝相關技術，並大力建廠擴產，未來營收增長空間廣闊。
風險提示：
AI算力需求增長不及預期;先進封裝技術進展緩慢;國產替代不及預期。