智通財經APP獲悉，華金證券發佈研究報告稱，HBM突破“內存牆”，實現高帶寬高容量，成爲AI芯片最強輔助，該行認爲HBM將持續迭代，I/O口數量以及單I/O口速率將逐漸提升，HBM3以及HBM3e逐漸成爲AI服務器主流配置，且產品週期相對較長，單顆容量及配置顆數逐步增加，預計HBM4於2026年發佈。2024年全球HBM市場有望超百億美元，市場空間足，國產供應鏈加速配套。
相關標的：包括封測環節：通富微電(002156.SZ)(先進封裝)、長電科技(600584.SH)(先進封裝)等;設備環節：拓荊科技(688072.SH)(PECVD+ALD+鍵合設備)、華海清科(688120.SH)(減薄+CMP)、芯源微(688037.SH)(臨時鍵合與解鍵合)等;材料環節：華海誠科(688535.SH)(環氧塑封料)、天承科技(688603.SH)(RDL+TSV電鍍添加劑)、艾森股份(688720.SH)(先進封裝電鍍)等。
華金證券觀點如下：
HBM加速迭代，市場空間足：
HBM突破“內存牆”，實現高帶寬高容量，成爲AI芯片最強輔助，該行認爲HBM將持續迭代，I/O口數量以及單I/O口速率將逐漸提升，HBM3以及HBM3e逐漸成爲AI服務器主流配置，且產品週期相對較長，單顆容量及配置顆數逐步增加，預計HBM4於2026年發佈。2024年全球HBM市場有望超百億美元，市場空間足，國產供應鏈加速配套。
HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4劍指混合鍵合：
當前HBM採用“TSV+Bumping”+TCB鍵合方式堆疊(TSV一般由晶圓廠完成，封測廠可在堆疊環節進行配套)，但隨着堆疊層數的增加散熱效率很差，TCB不再滿足需求，海力士率先引入MR-MUF迴歸大規模迴流焊工藝，芯片之間用液態環氧模塑料作爲填充材料，導熱率比TC-NCF中的非導電薄膜高很多，但海力士也預計HBM4會引入混合鍵合Hybrid Bonding方案，取消互連凸塊。該行預判當前HBM主流依然是TCB壓合，MR-MUF方案爲過渡方案，未來混合鍵合是大趨勢。液態塑封料LMC依然是晶圓級封裝至關重要的半導體材料之一。
混合鍵合與TSV是3D封裝的核心，HBM“連接”與“堆疊”帶來設備材料端發展新機遇：
混合鍵合分爲晶圓對晶圓W2W和芯片對晶圓D2W，3D NAND使用W2W，典型案例爲長鑫存儲的Xstacking，CMOS層+存儲層採用W2W混合鍵合方案，預計HBM未來亦會採用W2W方案，W2W與D2W方案相比一般應用於良率非常高的晶圓，避免損失。根據該行產業鏈研究，混合鍵合將充分帶動永久鍵合設備與減薄+CMP需求，根據BESI官方數據，預計存儲領域未來貢獻混合鍵合設備明顯增量，保守預計2026年需求量超過200臺，減薄+CMP亦成爲重要一環。當前HBM方案主要帶動固晶機、臨時鍵合與解鍵合、塑封裝備以及TSV所需的PECVD、電鍍、CMP等設備;材料端則是TSV電鍍液、塑封料等。
風險提示：行業與市場波動風險，國際貿易摩擦風險，新技術、新工藝、新產品無法如期產業化風險，產能擴張進度不及預期風險，行業競爭加劇風險。