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美光科技(MU.US)開始量產HBM3E內存 將用於英偉達(NVDA.US)H200 AI芯片

發布 2024-2-27 上午08:42
© Reuters.  美光科技(MU.US)開始量產HBM3E內存 將用於英偉達(NVDA.US)H200 AI芯片
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智通財經APP獲悉,美光科技(MU.US)已經開始量產用於英偉達(NVDA.US)最新人工智能芯片的高帶寬內存(HBM)。據悉,美光科技的HBM3E產品將供貨給英偉達,並將應用於英偉達H200 Tensor Core GPU,該GPU預計將於第二季度開始發貨。

資料顯示,美光科技HBM3E內存基於1β 工藝,採用TSV封裝、2.5D/3D堆疊,可提供1.2 TB/s及更高的性能。美光科技表示,與競爭對手的產品相比,其HBM3E產品有着以下三方面的優勢:(1)卓越性能:美光HBM3E擁有超過9.2Gb/s的針腳速率、超過1.2 TB/s的內存帶寬,可滿足人工智能加速器、超級計算機和數據中心的苛刻需求。(2)出色能效:與競品相比,美光HBM3E功耗降低了約 30%,在提供最大吞吐量的前提下將功耗降至最低,有效改善數據中心運營支出指標。(3)無縫擴展: 美光HBM3E目前可提供24GB容量,可幫助數據中心輕鬆擴展其AI應用,無論是訓練大規模神經網絡還是加速推理任務都能提供必要的內存帶寬。

美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示:“美光科技憑藉這一HBM3E里程碑實現了三連勝:上市時間領先、一流的行業性能以及差異化的能效概況。”“人工智能工作負載嚴重依賴內存帶寬和容量,美光科技處於有利位置,可以通過我們業界領先的HBM3E和HBM4路線圖以及我們用於人工智能應用的完整DRAM和NAND解決方案組合來支持未來人工智能的顯著增長。”

HBM是美光科技最賺錢的產品之一,部分原因在於其構造所涉及的技術複雜性。美光科技此前曾表示,預計2024財年HBM收入將達到“數億”美元,並在2025年繼續增長。Moor Insights & Strategy分析師Anshel Sag表示:“我認爲這對美光科技來說是一個巨大的機會,特別是因爲HBM在人工智能應用方面越來越受歡迎。”

HBM市場目前由SK海力士主導。Anshel Sag補充稱:“由於SK海力士2024年的庫存已經售罄,有另一個供應市場的供應商可以幫助AMD、英特爾或英偉達等芯片製造商擴大GPU生產規模。”

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