智通財經APP獲悉，華泰證券發佈研究報告稱，上週英偉達破2萬億以後，全球半導體市場如何達到1萬億美元成爲熱門話題。該行認爲，HPC是主要增量，到2030，AI芯片可能會是一顆擁有1萬億晶體管(10x)採用1nm工藝的芯片。在實現1nm芯片的路上，會帶動EUV光刻機，先進封裝設備在內產業鏈的發展。
華泰證券觀點如下：
背景：2030年半導體市場規模1萬億美元逐漸成爲業內共識，關注實現路徑
最近包括AMD CEO Lisa Su、Intel CEO Pat Gelsinger在內半導體業內領先領袖都提出，全球半導體市場有望從2023年的5200億美金成長到2030年的1萬億美金(近1倍的增長，9.8% CAGR)。2月22日, 英偉達業績超市場預期，帶動市值超2萬億美元，成爲全球市值第三大公司，全球半導體市場規模如何實現1萬億美元成爲市場關注的熱點之一。ISSCC(International Solid-State Circuits Conference IEEE)是全球最主要的半導體技術論壇之一，本次論壇上，臺積電等的分享爲投資人提供了思考這個問題的一些啓示。
啓示1：數據中心取代手機成最大增量，HPC 2030年佔據40%全球市場
本次大會上，臺積電認爲AI/HPC取代手機成爲半導體最大需求，到2030年有望貢獻全球40%市場規模。根據彭博一致預期，2023年英偉達、Intel、AMD、Marvell及博通五家HPC芯片領域主要廠商相關業務收入合計爲1381億美金，對應未來7年AI/HPC全球市場有接近2倍成長空間(16.4% CAGR)。當前英偉達在訓練芯片佔據壟斷地位，4Q23在全球份額達60%。推理芯片上呈現百花齊放態勢。此外，AI芯片用HBM(海力士、三星等)有結構性增長機遇。
啓示2：摩爾定律繼續演進，2027年有望達到1.4nm
臺積電指出，將在2025年量產的2nm節點採用Nanosheet(GAAFET)結構，未來可能採用三維垂直堆疊的CFET晶體管結構。Intel也表示將在2024年量產的Intel 20A工藝上，引入GAA設計的RibbonFET晶體管架構,2027將量產Intel 14A。IEEE預測，通過微縮數字塊區域等方式，到2031年有望實現1.0nm。當前全球7nm及以下的先進製程廠商僅剩臺積電、三星和Intel，Intel制定了較爲激進的4年5節點技術路線。對於設備企業來講，該行認爲先進製程演進將拉動High NA光刻機(ASML)、刻蝕設備及薄膜沉積(AMAT、Lam、TEL等)、量檢測(Lasertec, KLA)等設備用量。
啓示3：單芯片晶體管數量增長至10倍，先進封裝、硅光等是核心技術
臺積電指出：1)基於TSV、混合鍵合等技術的3D堆疊/SoIC封裝，未來可能實現和SoC內部die幾乎相同的互聯密度，且可將單芯片晶體管數量擴展至10倍達1萬億個；2)整合硅光的CPO封裝，將顯著提升AI芯片計算能力和解決功耗問題。
Intel指出：下一代先進封裝技術的玻璃基板，與現有有機基板相比，具有更好的熱性能、物理性能和光學性能，可將互聯密度提升10倍。先進封裝日益重要的背景下，該行認爲背面減薄(DISCO)、鍵合(Besi、ASMPT)、模塑(Towa、Yamada)等設備將迎來發展新機遇。
風險提示：半導體週期下行，技術研發不及預期的風險。