智通財經APP獲悉，平安證券發佈研究報告稱，在SiC頭部廠商持續擴產背景下，SiC襯底、器件供應能力不斷加強，規模效應帶動價格持續下探，SiC滲透率持續提升，尤其是在新能源汽車領域，SiC上車速度明顯加快，預計2024年市場將會推出更多搭載SiC器件的車型，將進一步帶動SiC需求增長，疊加當前國產替代主旋律持續深化，國家對重點領域關鍵材料重視程度持續提升，國產SiC廠商有望迎來發展良機。
建議關注：技術底蘊紮實且產能擴充順利的SiC產業鏈公司天嶽先進(688234.SH)、時代電氣(688187.SH)、斯達半導(603290.SH)、新潔能(605111.SH)、晶盛機電(300316.SZ)、晶升股份(688478.SH)等。
平安證券觀點如下：
材料性能突出，器件優勢明顯。
當前Si半導體已逼近物理極限，以SiC爲代表的第三代半導體成爲後摩爾時代半導體行業發展的重點方向之一，SiC材料擁有高擊穿電場、高導熱率以及高飽和電子漂移速度等特性，製備的器件相較於Si產品能夠降低80%損耗的同時將器件尺寸縮小90%，在新能源汽車、光伏以及軌道交通等領域具備廣闊的替代空間。
SiC爲半導體重要新材料，產業鏈自主可控需求強烈。
當前海外對華科技限制持續加碼，產業鏈自主可控刻不容緩，SiC作爲半導體領域的重要新材料，國內外SiC技術代差約爲5-8年，相較硅基半導體，具備實現國產替代機遇，國家重視程度將不斷上升，有望持續推出利好政策助力國內SiC行業發展，國內SiC產業鏈有望迎來快速發展良機。
SiC晶體生長慢且加工難，提升良率和產能是控制成本的關鍵。
SiC器件成本是Si器件的3倍左右，是制約SiC行業快速發展的核心因素之一，造成該問題的主要原因在於SiC長晶速度緩慢且加工難度大，從原材料到晶圓轉換率僅爲50%。未來在技術進步和規模經濟共同作用下，產線將向8英寸轉移，襯底尺寸擴徑將助力產業鏈降本，預計襯底價格將以每年8%的速度下降，有望進一步加速SiC發展滲透。
降本提效增益明顯，下游持續景氣帶動需求提升。
SiC器件能夠爲新能源汽車以及光伏等關鍵下游帶來明顯的效率提升以及綜合成本優化，隨着SiC滲透加速，Yole預計2026年全球SiC器件市場規模將達71億美元，其中，新能源汽車作爲SiC器件增長的主要驅動力，近些年整體銷量呈現快速增長態勢，將不斷帶動SiC器件需求，預計2027年全球車用SiC功率器件市場規模將達50億美元。
風險提示：1)碳化硅上車進度不及預期風險;2)產業鏈各環節國產替代進度不及預期風險;3)襯底價格下降不及預期風險;4)宏觀經濟下行風險。