FX168財經報社(香港)訊 手握半導體獨家極紫外光(EUV)技術的荷蘭大企ASML，是晶圓代工上游供應鏈的關鍵。英特爾(Intel)日前宣布重返晶圓代工競爭后，再投下震撼彈，公告成為首家下訂最先進的高數值孔徑(High-NA)極紫外光微影設備的客戶。市場原本預期由領頭羊臺積電先展開行動，而前者大動作展開合作，掀起市場熱論。
韓國經濟日報、臺灣中時新聞網等指出，英特爾訂購EUV曝光設備比臺積電3奈米制程的EUV設備更為先進，不少專家認為，英特爾可能會透過這些設備生產2奈米制程芯片，英特爾也在聲明中表示，新一代的EUV機臺可使晶圓制造速率每小時將超過200片，是發展先進制程的重要一環。
要知道，ASML下世代最先進的TWINSCAN EXE:5200 高數值孔徑極紫外光光刻機，由于精密度更高，造成其設計零件也更多，其報價逾3.4億美元，較前一代價格增逾13%，再創歷史新高。
英特爾近日與ASML，達成長遠高數值孔徑合作案的框架內容協議，搶先下單TWINSCAN EXE:5200光刻機。新機與此前EUV光刻機所具備的0.33數值孔徑鏡片相比，提供了精確度更高的0.55高數值孔徑。TWINSCAN EXE:5200光刻機預計將會在2024年推出，到2025年將可以投入量產，預計每小時晶圓曝光產能可達200片以上，讓英特爾得以率先其他廠商跨入2奈米制程的世代。
英特爾與ASML大動作公開雙方合作計劃，報道引述市場人士意見指出，英特爾在先進制程的腳步并不穩定，突然宣布合作關系，目的是減少市場對英特爾技術質疑的壓力，但最終是否能夠如英特爾所愿還有待觀察。
此外，由于英特爾成為ASML最先進制造設備的首位客戶，投資研究機構Semiconductor Advisors分析師Robert Maire認為，如果英特爾可以搶先采用這些工具，可能是在摩爾定律的競賽當中，有機會超車臺積電的好機會。
早于2021年7月，英特爾的加速日線上活動中，公司已公布最新制程技術發展藍圖，宣布采用新的節點命名方式，包括Intel 7、4、3、20A與18A。其目的之一，是要扭轉外界對其制程落后的批評。
英特爾預料到2024年，將會進入Intel 20A階段，也就是市場所熟知的2奈米市場，象征著晶圓代工制程進入埃米(Angstrom)時代，英特爾也會通過RibbonFE與PowerVia這兩項技術創新，以延續摩爾定律的進程。
ASML首席執行官溫尼克(Peter Wennink)指出，High-NA研發型EUV曝光機EXE: 5000將會在2024年前出貨，在手訂單已達5臺，量產型EUV曝光機EXE: 5200將會在2024年推出，支援客戶后續量產計劃。
另外ASML也同時表示，相較于目前的EUV系統，ASML持續創新拓展EUV技術藍圖，并以降低后的復雜性、成本、周期時間和能量，提供驅動芯片產業下個十年所需要的良好經濟規模延展性。
ASML表示，0.55高數值孔徑EUV技術已為2025年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術，High-NA技術有望自2025開始支援生產制造，并作為延續摩爾定律的其中一個重要方式。
【廣告】微信掃碼，領體驗賬戶贏真金白銀！
手機用戶請截屏保存二維碼，用微信掃一掃調取圖片識別。
