FX168財經報社(香港)訊 晶圓代工成為全球各國競相爭搶的重要領域，而作為半導體領頭羊的臺積電，今天證實落腳于臺灣新竹科學園區的環境評估已通關，有望在2022年下半年啟動。三星日前放話超車2奈米量產，但業內人士無情打臉稱，目前三星2奈米技術僅停留在實驗室階段，量產的難度相當高。
臺灣新竹科學園區管理局局長王永壯在今天對外宣布，竹科寶山2期擴建計劃期望能在今年底前，就可以完成協議價購，明年年中取得所有用地。竹科寶山2期擴建計劃，也就是臺積電2奈米建廠用地，換而言之，臺積電的2奈米廠可望于明年下半年啟動。
根據臺媒“自由時報”所稱，竹科寶山2期擴建計劃環評已過關，都市計劃變更也經過臺當局審查通過。王永壯表示：“后續將進行土地協議價購征收程序，已有50%地主簽意愿書，期待今年底前可以完成協議價購，明年年中取得所有用地，以便進行公共工程的整地作業，用地面積超過90公頃。”
報道指出，臺積電目前進行寶山1期擴建計劃，晶圓12廠第8期、9期，8期是原規劃的研發中心，預計今年起可陸續完工。寶山2期擴建計劃，就是預計興建生產2奈米制程的晶圓廠用地，從征收時程估算，明年下半年將是臺積電2奈米廠啟動時間點。
反觀主要競爭者三星，根據三星在年度晶圓論壇上所揭露的訊息，公司首個3奈米GAA制程良率正接近4奈米，并預計2022年上半年量產第一代3奈米3GAE制程，接著會在2023年推出第二代3奈米3GAP制程技術；并首度發表2奈米制程規劃，目標在2025年搶先商用生產2奈米芯片。
有別于三星在3奈米導入GAA架構，臺積電預計在2022年下半年量產3奈米FinFET(鰭式場效電晶體)制程，目前僅公布2奈米廠落腳新竹，并未說明技術及量產時程，因此部分人士憂心，臺積電在技術進展上有落后三星的風險。
業界人士表示，三星計劃采用的GAA架構，據稱可更精準地控制通道電流、縮小芯片面積、降低耗電量。值得注意的是，GAA并不是近期才出現新的技術，且表現與性能更好是眾所皆知，只是過去都停留在實驗室階段，量產的難度相當高。
他也提到，盡管臺積電目前僅對外正式宣布2奈米生產據點，實際上公司早已著手2奈米GAA的研發，將采用全新世代的奈米層片(Nanosheet)架構，推測量產時間將落在2024年下半年。
科技新報就最新進展稱，臺積電會在3奈米延用FinFET架構，主要是綜合考量成本競爭力、效能表現、技術成熟度后的抉擇。對臺積電而言，FinFET生態系統已相當成熟，相對具備成本效益。由于GAA難度更高，在先進制程成本不斷墊高的趨勢下，更需要穩扎穩打向前推進，才能提供客戶兼具性價比的解決方案。
綜合多家媒體所統整的市場消息，臺積電3奈米已進入風險性試產階段，目標明年中旬月產能拉升到約5萬至6萬片規模，并由大客戶蘋果率先在iPhone導入；同時，公司也規劃推出改款版的3奈米制程，價格更具競爭力，量產時程估計將落在2023年。
實際上，目前半導體業者普遍對三星明年上半年量產GAA持保留態度，主要是因為4D的GAA制程較3D的FinFET復雜許多，三星能不能順利量產并兼顧良率，且進一步應用到非自家的產品上，仍有待觀察。再者，GAA制程價格勢必會比FinFET更昂貴，在具備其他選項的前提下，客戶買單意愿恐怕不高。
報道最后也引述分析師所認為，對晶圓代工業者來說，比的不會只有技術多領先、有多快，而是對制程、技術的掌握度，才能保有優異良率并達成量產目標，與客戶互利雙贏。臺積電從技術、良率、營運管理能力、產能規模乃至客戶關系都獨占鰲頭，霸主地位難以被他人撼動。