智通財經APP獲悉，英特爾(INTC.US)于當地時間7月26日發布了該公司迄今爲止最詳細的工藝制程和封裝技術路線圖，並展示了2025年及以後驅動産品的基礎技術。該公司正升級其半導體工藝節點的名稱(比如英特爾7納米工藝節點將直接命名爲“英特爾7”)，以形成清晰且一致的框架，使客戶更准確地了解整個行業的工藝節點。
在發布會上英特爾表示，英特爾7將成爲10納米增強型SuperFin工藝節點的新名稱，它的每瓦特性能比10納米SuperFin提高了10-15%。據悉，英特爾7將在2021年第二季度面向客戶的Alder Lake和最近推遲的數據中心解決方案Sapphire Rapids等産品中亮相，該解決方案將于明年初投産。
英特爾4將成爲下一個工藝節點，英特爾4工藝將是英特爾第一個全面使用先進的極紫外(EUV)光刻技術的工藝制程。英特爾4將于2022年下半年投産，正式産品將于2023年發貨，包括面向客戶的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。
英特爾3將緊隨其後，每瓦特性能比英特爾4提高18%，預計將在2023年下半年爲生産英特爾3做好准備。
英特爾還宣布了兩項新的工藝技術:RibbonFET以及PowerVia，前者是該公司十多年來的首個新型晶體管架構，後者是一種新的背面功率傳輸方法。這些技術屬于英特爾20A工藝節點，預計將在2024年逐步普及。英特爾正目前在與高通(QCOM.US)合作20A工藝制程。
到2025年及以後，英特爾18A將在2025年初開發，並對RibbonFET進行升級改造。英特爾還將與極紫外(EUV)光刻機供應商阿斯麥(ASML.US)密切合作，共同定義、開發和部署下一代EUV光刻系統。
對于英特爾代工服務方面的業務，英特爾宣布亞馬遜(AMZN.US)旗下AWS將成爲第一個使用IFS封裝解決方案的客戶。
據悉，英特爾上周曾表示，隨着産品的不斷增加，7納米工藝正蓄勢待發，但成本端壓力仍然很大，再加上全球芯片短缺且産能有限，這將在2021年下半年壓低英特爾的毛利率。
