智通財經APP獲悉，據三名知情人士透露，由於散熱和功耗問題，三星電子(SSNLF.US)最新的高帶寬內存(HBM)芯片未通過英偉達(NVDA.US)用於美國公司人工智能處理器的測試。
他們稱，這些問題影響了三星的HBM3芯片，這是目前用於人工智能圖形處理單元(GPU)的第四代HBM標準，以及這家韓國科技巨頭及其競爭對手今年將推向市場的第五代HBM3E芯片。
三星未能通過英偉達測試的原因首次被報道。三星電子在發給路透社的一份聲明中表示:“HBM是一種定製內存產品，需要根據客戶的需求進行優化。”並稱:“正在與客戶密切合作，優化產品。”該公司拒絕就具體客戶置評。英偉達拒絕置評。
HBM是一種動態隨機存取存儲器或DRAM標準，於2013年首次生產，芯片在其中垂直堆疊以節省空間並降低功耗。HBM產品有助於處理複雜人工智能應用程序產生的大量數據。隨着對複雜GPU的需求在人工智能熱潮中飆升，市場對HBM的需求也在飆升。
目前，英偉達控制着全球80%的人工智能應用GPU市場，讓這家科技巨頭滿意被視爲HBM製造商未來增長的關鍵，無論是在聲譽還是在利潤勢頭方面。
三位消息人士稱，自去年以來，三星一直試圖通過英偉達對HBM3和HBM3E的測試。據兩位知情人士透露，三星8層和12層HBM3E芯片最近的測試結果是在4月份公佈的。
目前尚不清楚這些問題能否輕易解決，但三位消息人士表示，未能滿足英偉達的要求，令業界和投資者更加擔心三星在HBM方面或將進一步落後於競爭對手SK海力士和美光科技(MU.US)。
與三星相反，國內競爭對手SK海力士是英偉達的主要HBM芯片供應商，從2022年6月開始供應HBM3。該公司還從3月底開始向一家拒絕透露姓名的客戶供應HBM3E。消息人士稱，這些產品的發貨目的地是英偉達。
唯一的另一家HBM主要製造商美光也表示將向英偉達提供HBM3E。
本週，三星更換了其半導體部門的負責人，稱需要一位新的高層人物來應對影響該業務的“危機”。分析師表示，此舉似乎突顯了三星對其在HBM領域落後地位的擔憂。
KB證券研究主管Jeff Kim表示，市場對三星作爲全球最大的存儲芯片製造商的期望很高，他認爲三星將很快通過英偉達的測試，但HBM等專業產品需要一些時間才能達到客戶的性能評估也是很自然的。
三星電子雖然還未成爲英偉達的HBM3供應商，但已經向AMD(AMD.US)等客戶提供了HBM3E芯片，並計劃從第二季度開始批量生產。三星在給路透社的聲明中說，其產品計劃正在按計劃進行。
分析師還提到，SK海力士在2013年首次開發出HBM芯片，在過去的10年裏，SK海力士在HBM研發上投入的時間和資源遠遠超過三星電子，這也是其技術優勢的原因。
三星電子在聲明中表示:“2015年開發了第一個用於高性能計算的商用HBM解決方案，此後一直在HBM領域進行投資。”
消息人士還稱，英偉達和AMD等GPU製造商也迫切希望三星完善其HBM芯片，以豐富其供應商選擇，從而削弱SK海力士的議價能力。
在今年3月舉行的英偉達人工智能大會上，英偉達首席執行官黃仁勳在三星展臺的三星12層HBM3E芯片上籤署“Jensen(黃仁勳)認證”，表明該公司對三星供應這些芯片的前景充滿熱情。
根據研究公司Trendforce的數據，HBM3E芯片可能成爲今年市場上主流的HBM產品，出貨量集中在2024年下半年。
另外，SK海力士預計，到2027年，HBM存儲芯片的總體需求將以每年82%的速度增長。
分析師表示，投資者已經注意到三星在HBM領域的相對弱勢地位。該公司股價今年迄今持平，而SK海力士的股價上漲了41%，美光科技的股價自然上漲了48%。