智通財經APP獲悉，德邦證券發佈研報稱，5月21日，SK海力士高層Kwon Jae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%，他強調SK海力士今年重點是生產8層堆疊HBM3E。此前，SK海力士CEO郭魯正於5月2日宣佈，公司HBM今年已經全部售罄，明年也基本售罄，並且預計在今年5月提供世界最高性能的12層堆疊HBM3E產品的樣品，並準備在第三季度開始量產。同時，美光CEO SanjayMehrotra也表示HBM產能今年已經全部售罄，並且預計其HBM產品在第三財季可爲美光DRAM業務以及整體毛利率帶來正面貢獻。
HBM具有高帶寬+高容量+低延時+低功耗的特點，先進封裝將核心受益
HBM是將多個DDR芯片堆疊在一起後，再和GPU封裝合成，通過增加帶寬，擴展內存容量，組成DDR組合陣列，以此實現讓更大的模型、更多的參數留在離核心計算更近的地方，從而減少內存和存儲解決方案所帶來的延遲。與傳統DRAM芯片相比，HBM具有高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優勢，可以加快AI數據處理速度。同時，HBM多層堆疊技術有望促進相關設備和材料的需求。據量子位微信公衆號，英偉達H200首搭141GB的HBM3E內存和4.8TB/s的帶寬，相比H100，其內存容量和帶寬有了明顯的增加(H100內存容量爲80GB和3.35TB/s帶寬)。
需求側：HBM供不應求，TrendForce預計24年市場規模翻倍、達近百億美元
SK海力士：24Q1業績大超預期，實現淨利潤1.92萬億韓元，遠超市場預期9166.9億韓元。早在今年2月，SK海力士管理層就表示，今年HBM生產配額已經全部售罄。
美光：24財年第二財季實現營收58.2億美元，高於公司此前指引區間51-55億美元，實現非GAAP口徑下調整後營業利潤2.04億美元。第二財季是公司向英偉達H200供應的HBM3E首個創收季度。該產品今年已賣斷貨，排到明年的訂單已佔用大部分明年可供貨源。
三星：與AMD簽署4萬億韓元的HBM3E供貨協議。今年2月，正在加緊擴展HBM產能的三星也發佈了業界容量最大的36GB HBM3E12H芯片。英偉達表示正在對三星的芯片進行資格認證，以用於AI服務器產品。
供給側：頭部存儲廠商正進行軍備競賽，加大擴產
SK海力士：公司預計2030年HBM出貨量達每年一億顆，預計今年的總資本支出將超過2024年最初計劃。近期海力士表示計劃斥資146億美元在韓國構建新的存儲芯片產能，擴大包括HBM在內的下一代DRAM的產能，以應對快速增長的AI需求。同時4月初宣佈將斥資38.7億美元在印第安納州西拉斐特市建立一座先進封裝廠和人工智能產品研發中心。
三星：目前正供應12層堆疊HBM3E內存——36GB HBM3E12H DRAM樣品，計劃今年二季度量產。三星8層堆疊的HBM38H已開始初步量產。此外，公司耗資105億韓元，收購了三星顯示位於韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產能。公司預計2024年HBM產能將增至去年的2.9倍。
建議關注HBM產業鏈：賽騰股份(603283.SH)、通富微電(002156.SZ)、聯瑞新材(688300.SH)、華海誠科(688535.SH)、香農芯創(300475.SZ)、精智達(688627.SH)等。
風險提示：技術升級迭代和研發失敗風險；市場需求不及預期風險；行業週期影響和業績波動風險；全球貿易摩擦風險。