智通財經APP獲悉,TechInsights發文稱,發現了臺積電22ULL嵌入式RRAM(阻電存儲器)芯片,低功耗無線物聯網解決方案的領導者Nordic Semiconductor推出的突破性nRF54L SoC器件採用了臺積電的22ULL嵌入式RRAM (eRRAM)。
TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit,找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以來,臺積電提供了40納米RRAM平臺,現在的22納米RRAM是臺積電的第二代eRRAM。這是業界首個擁有最先進的22納米CMOS技術的RRAM,可與嵌入式STT-MRAM相媲美。
eRRAM內存塊密度爲17.5 bit/ µm2,位線方向的RRAM層寬度爲170 納米。RRAM存儲層放置在metal 3上。ReRAM使用電阻作爲開關的基礎。與STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新興存儲器件一起,ReRAM是取代嵌入式閃存(eFlash)的主要競爭者之一。ReRAM不受輻射的影響,具有很高的電磁耐受性,並且沒有泄漏問題,因爲它不是基於電荷的器件。
22ULL ReRAM