智通財經獲悉，美光科技(MU.US)一直是人工智能熱潮的受益者之一，隨着支出的增加，加上內存市場的廣泛反彈，該股在過去12個月裏上漲了近100%。瑞穗證券表示，美光的好日子可能會繼續，因爲該公司可能會在高帶寬內存(HBM)領域獲得市場份額。
在與美光公司的首席財務官Mark Murphy和首席技術官Scott DeBoer會面後，瑞穗認爲美光公司正在提升其HBM3E(高帶寬內存3E)產品，其功耗比競爭對手低30%。這家投資公司表示，在人們對人工智能功耗的擔憂日益加劇之際，這可能會推動美光的股價上漲。
Seeking Alpha的撰稿人、分析師Robert Castellano最近將美光的評級上調至“買入”，因爲該公司有能力向英偉達(NVDA.US)推銷其HBM3E封裝。HBM3E是第五代高帶寬內存，瑞穗認爲這是美光與韓國SK海力士之間的“2匹馬競賽”。瑞穗表示，在英偉達不斷增長的需求下，HBM供應緊張，這對美光來說是個好兆頭。
分析師寫道:“我們認爲，潛在的收益率問題是，在一個關鍵供應商處，其1-alpha HBM3e的堆疊高度綁定延遲，這將使MU和Hynix在B100/B200/GB200平臺上獲得HBM3e的份額，從而推動從目前的增加路徑約5%上升到2025年的約25%。”
分析師重申了對美光的買入評級，並將目標價從130美元調高至150美元，因內存價格預估上調。瑞穗表示，今年2月開始量產HBM3E芯片的美光公司，2024年和“2025年大部分時間”的高帶寬內存可能已經賣光。由於整個行業仍然“緊張”，供應可能處於最低水平，從而推高價格。
下一版本的高帶寬存儲器HBM4可能最終需要臺積電(TSM.US)的cocos - l，因爲處理器的堆棧高度標準放寬了。分析人士說，美光正在使用一種名爲熱壓縮非導電薄膜的技術，美光認爲，與SK海力士的產品相比，該技術有助於提高封裝密度、厚度一致性、更快的規格、更小的凸起和更好的堆疊高度間距。
瑞穗的分析師寫道:“我們認爲美觀科技可能會在HBM4之後看到混合/3D鍵合進入商業評估階段，可能會在2027/28年之後。”瑞穗分析師表示，這可能有助於HBM市場以約65%的複合年增長率增長，到2026年達到170億至180億美元。