智通財經APP獲悉，美國商務部已與美光(MU.US)達成初步協議，根據《芯片與科學法案》向後者提供高達61.4億美元的直接資金。
這筆撥款將支持在紐約州克萊(Clay)建設兩家晶圓廠，在愛達荷州博伊西(Boise)建設一家晶圓廠，到2030年將釋放約500億美元的私人投資，這是美光未來20年在這兩個州投資高達1250億美元的第一步，以建立一個領先的內存製造生態系統。
在紐約克萊，這筆資金將支持計劃中的四個晶圓廠的前兩個晶圓廠的建設，這些晶圓廠專注於前沿(動態隨機存取存儲器)芯片生產。每個工廠將有60萬平方英尺。4英尺的潔淨室，總面積240萬平方英尺。這是美國有史以來宣佈的最大的潔淨室空間
這筆資金還將支持在愛達荷州博伊西的一家大批量製造(HVM)工廠的發展。該設施與公司現有的先進研發基地位於同一位置，面積約爲60萬平方英尺。一英尺的潔淨室空間專注於生產領先的DRAM芯片。
美光計劃的芯片製造工廠預計將在未來20多年裏創造約7.5萬個國內就業崗位。
美國總統拜登今天將前往紐約錫拉丘茲宣佈這筆撥款。今天的公告標誌着根據530億美元的《芯片與科學法案》批准的第七份初步合同，該法案旨在促進美國的芯片生產
英特爾(INTC.US)獲得了迄今爲止最大的撥款，從該法案中獲得85億美元，其次是臺積電(TSM.US)，獲得66億美元，三星獲得64億美元。