智通財經APP獲悉，國開證券發佈研報稱，伴隨着各類AI延伸應用，DRAM及NAND Flash在智能手機、服務器、筆記本電腦等單機平均搭載容量均將顯著增長，同時AI大模型催生海量算力需求，推動存儲產品在低能耗、高帶寬、高容量上持續迭代，從而促進HBM產業鏈加速發展，疊加國產化和終端需求回暖因素，我國存儲產業鏈有望迎來成長機遇，建議關注存儲、先進封測、材料、設備等細分領域龍頭。給予行業“中性”評級。
國開證券主要觀點如下：
國開證券表示，存儲行業週期性特徵較爲明顯，自2021年底開啓下行週期，2023年全球存儲器市場規模同比下降37%，成爲半導體市場中下降最大的細分領域；然而隨着市場需求的逐漸復甦和上游原廠的減產措施，存儲芯片價格有所回溫。
供給端來看，當前產能尤爲緊張的是HBM。迄今爲止全球僅有的三家HBM供應商——SK海力士、三星、美光，SK海力士和美光均爲英偉達HBM3E供應商，三星於24年2月官宣成功開發業界首款36GB 12層DRAM的HBM3E芯片，與8層HBM相比，其性能和容量超過50%，AI訓練速度平均提高34%；近期海力士、美光均宣佈24年HBM產能已售罄，且美光表示其25年大部分HBM產能已被預訂，三星預計2024年其HBM產能將同比增加2.9倍，26年出貨量將達23年的13.8倍。
需求端來看，一方面，消費電子設備單機存儲容量將不斷增加，智能手機呈現“大內存”趨勢，AI PC入門級標配即32G內存，英特爾表示25年64G PC將開始出貨；另一方面，HBM具備高帶寬、高容量、低延時和低功耗特點，目前已逐步成爲AI服務器與GPU的主流方案，如英偉達V100、A100、H100、H200等均採用HBM作爲顯存；HBM是AI芯片中成本佔比最高的部分，以H100芯片爲例，HBM佔成本比重高達2/3左右，從產值來看，2023年HBM在DRAM產業中佔比約8.4%，至2024年底將擴至20.1%。
風險提示：全球宏觀經濟下行，貿易摩擦加劇，技術創新不達預期，下游需求不達預期，業績增長低於預期，中美關係進一步惡化，烏克蘭危機，黑天鵝事件，國內經濟復甦低於預期，國內外二級市場系統性風險等。