智通財經APP獲悉，開源證券發佈研究報告稱，近日，美光科技發佈最新財報，其表現遠超預期，實現強勁復甦；在指引方面，美光HBM3E將供應Nvidia H200 GPU，目前已實現量產。目前來看，美光2024年HBM已經售罄，2025年產能也已近乎分配完畢，產品供不應求。NAND方面，三星電子計劃在2024年3-4月與主要手機、PC和服務器客戶重新談價，預計將推動NAND閃存價格上漲15%-20%。隨着板塊持續復甦，以及HBM和DDR5等產品的需求增長，相關公司有望充分受益。
開源證券主要觀點如下：
大廠業績：FY2024Q2美光業績遠超預期，HBM3E成功導入英偉達
美光科技發佈最新財報，FY2024Q2實現營收58.24億美元(此前指引51~55億美元)，同比+58%，環比+23%；毛利率20%(Non-GAAP，此前指引11.5%~14.5%)，同比+51.4pcts，環比+19.2pcts；淨利潤(Non-GAAP)4.76億美元，同比+20.57億美元，環比+15.24億美元，表現遠超預期，實現強勁復甦。
指引方面，FY2024Q3公司預計實現營收64~68億美元，中值同比+73.68%，環比+13.32%；毛利率25%~28%，中值同比+42.5pcts，環比+6.5pcts，指引持續樂觀。HBM方面，美光HBM3E將供應Nvidia H200 GPU，目前已實現量產，後續有望拉動公司毛利率水平，於2024年貢獻數億美元營收。目前來看，美光2024年HBM已經售罄，2025年產能也已近乎分配完畢，產品供不應求。
DRAM： 2024年訂單量持續攀升，HBM供不應求
總產能方面，據集邦諮詢，截至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約爲250K/m，佔總DRAM產能(約1,800K/m)約14%，原廠持續加大投入，供給位元年增長率有望高達260%。佔比方面，HBM需求持續旺盛，2024年訂單已基本被買家鎖定，佔DRAM總產值比重有望從2023年的8.4%提升至2024年的20.1%，成長迅速。
分廠商來看，三星、SK海力士至2024年年底的產能規劃最積極，三星HBM總產能至年底將達約130K/m(含TSV)；SK海力士約120K/m。以現階段主流產品HBM3產品來看，目前SK海力士市佔率超90%，而三星將隨着AMD MI300逐季放量來實現追趕。
NAND：稼動率逐步提升， Q2有望漲價15-20%
稼動率方面，據閃德資訊報道，隨着庫存調整和智能手機市場需求轉好，三星西安NAND閃存廠稼動率正持續提升，目前已達70%；與此同時，鎧俠計劃在3月內將NAND稼動率提升至90%，大廠近期稼動率調升動作頻繁，反應需求正逐步向好。價格方面，近期部分廠商透露漲價意願，慧榮科技表示2024Q2 NAND價格預計上漲20%，三星電子計劃在2024年3-4月與主要手機、PC和服務器客戶重新談價，預計將推動NAND閃存價格上漲15%-20%。
受益標的：
開源證券指出，隨着板塊持續復甦，以及HBM和DDR5等產品的需求增長，相關公司有望充分受益。
(1)存儲芯片：兆易創新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)、北京君正(300223.SZ)等。
(2)存儲模組：江波龍(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)、協創數據(300857.SZ)、佰維存儲(688525.SH)等。
(3)存儲接口：瀾起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)等。
(4)存儲封測及HBM產業鏈：長電科技(600584.SH)、通富微電(002156.SZ)、華天科技(002185.SZ)、香農芯創(300475.SZ)等。
風險提示：需求復甦不及預期，行業競爭加劇，公司新品研發進度不及預期。