智通財經APP獲悉，開源證券發佈研究報告稱，供給方面，據閃德資訊報道，三星、SK 海力士、美光三大原廠全力搶佔HBM、DDR5 等新興市場，新產能均投入相關新品，逐漸退出DDR3 市場，利基型DRAM 產能供給減少。需求方面，近期隨着AI、網通的需求增加，AI 技術導入後終端產品對DDR3 有容量升級的需求。2023H2 以來，主流存儲產品價格已明顯回暖，隨着利基型市場供需結構改善，DDR3 等利基型存儲產品有望接力上漲，實現存儲芯片的全品類復甦，板塊景氣度持續提升。
開源證券觀點如下：
上週覆盤：現貨市場流速緩慢，供需雙方博弈激烈
指數方面：據閃存市場數據，2024 年第11 周存儲市場有所分化，NAND 指數單週提升0.63%，DRAM 指數單週下降0.02%，基本持平。價格方面：NANDFlash Wafer 價格持平不變， DDR4 eTT 資源跟隨實際成交價小幅調漲;渠道市場方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出現少量拋貨現象，而成本端並未下降，因此行情整體變動不大，價格持平不變;行業市場方面，近期行業市場以少量備貨需求爲主，整體需求較淡，還有延遲提貨的跡象，本週行業價格持平不變;嵌入式Flash 方面，由於嵌入式資源供應依然有限，伴隨現貨市場嵌入式產品需求穩固，本週部分嵌入式價格上調：eMCP 和uMCP 價格全面上漲( 周環比+2.8%/+5.5%)， 部分eMMC 和UFS 價格上調( 周環比+1.5%/+1.4%)，嵌入式LPDDR 價格持平不變。
利基型市場： DDR3 供不應求，Q2 價格有望調漲20%
供給方面，據閃德資訊報道，三星、SK 海力士、美光三大原廠全力搶佔HBM、DDR5 等新興市場，新產能均投入相關新品，逐漸退出DDR3 市場，利基型DRAM 產能供給減少。需求方面，近期隨着AI、網通的需求增加，AI 技術導入後終端產品對DDR3 有容量升級的需求。價格方面，三大原廠已陸續於2023Q4 起喊漲DDR3 價格，隨着市場供不應求，華邦也計劃在2024Q2 跟進漲價，將DDR3 價格調升20%，幅度可觀。2023H2 以來，主流存儲產品價格已明顯回暖，隨着利基型市場供需結構改善，DDR3 等利基型存儲產品有望接力上漲，實現存儲芯片的全品類復甦，板塊景氣度持續提升。
大廠近況：開工率逐步提升，中國臺廠營收連續多月同比高增
據閃德資訊報道，隨着庫存調整和智能手機市場需求轉好，三星西安工廠稼動率正持續提升，目前已達70%;與此同時，鎧俠計劃在3 月內將NAND 稼動率提升至90%，大廠近期稼動率調升動作頻繁，反應需求正逐步向好。大廠表現方面，隨着價格逐步回暖，韓國2 月存儲芯片出口額同環比大幅雙增(同比+108%/環比+14%)，多家中國存儲臺廠營收連續多月同比上漲，南亞科技、十銓等企業連續三月同比增長30%以上，勢頭良好。
隨着板塊持續復甦，以及HBM 和DDR5 等產品的需求增長，相關公司有望充分受益，受益標的：
(1)存儲芯片：兆易創新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)等;(2)存儲模組：江波龍(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)等;(3)存儲接口：瀾起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)等;
(4)存儲封測及HBM 產業鏈：長電科技(600584.SH)、通富微電(002156.SZ)等
風險提示：需求復甦不及預期，行業競爭加劇，公司新品研發進度不及預期。