智通財經APP獲悉，據知情人士透露，爲了在高端人工智能芯片的競爭中迎頭趕上，韓國存儲芯片巨頭三星電子(SSNLF.US)將採用SK海力士所領導的高端芯片封裝工藝技術。
隨着生成式人工智能的繁榮，對高帶寬內存(HBM)芯片的需求激增。不過，與同行SK海力士和美光科技(MU.US)不同的是，三星電子尚未拿下人工智能芯片霸主英偉達(NVDA.US)的HBM訂單。
分析人士和業內觀察人士認爲，三星電子落後於競爭對手的原因之一是，該公司決定堅持使用會導致一些生產問題的非導電薄膜(NCF)芯片技術，而SK海力士轉向高端封裝工藝MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)方法來解決NCF的缺陷。有分析師稱，三星電子HBM3芯片的產率約爲10-20%，而SK海力士HBM3的產率約爲60-70%。
據知情人士透露，三星電子最近已經下單採購用於MUF技術的芯片製造設備。其中一名知情人士表示：“三星電子必須採取措施提高HBM產量。對三星來說，採用MUF技術是一件有點忍辱負重的事情，因爲它最終採用了SK海力士最初就使用的技術。”
一名知情人士表示，三星電子已經在與包括日本長瀨(Nagase)在內的材料製造商就MUF材料的採購進行談判。該知情人士補充稱，使用MUF的高端芯片的大規模生產最早可能要到明年才能準備好，因爲三星電子需要進行更多的測試。
資料顯示，NCF芯片製造技術已被芯片製造商廣泛用於在緊湊的高帶寬內存組中堆疊多層芯片，因爲使用熱壓縮薄膜有助於減少堆疊芯片之間的空間。不過，隨着層數增加，製造變得複雜，粘合材料也經常出現問題。三星電子最新的HBM3E芯片就有12個芯片層。
芯片製造商一直在尋找解決這些弱點的替代方案。SK海力士率先成功轉向MR-MUF技術，成爲第一家向英偉達提供HBM3芯片的供應商。KB Securities分析師Jeff Kim估計，SK海力士今年在爲英偉達提供的HBM3及更先進的HBM產品中所佔的市場份額將超過80%。美光科技上個月宣佈，其最新HBM3E芯片將被英偉達採用，應用於將在第二季度開始發貨的英偉達H200芯片。
三星電子使用MUF的計劃凸顯了該公司在人工智能芯片競爭中面臨越來越大的壓力。根據研究公司TrendForce的數據，在人工智能相關需求的推動下，HBM芯片市場今年將增長1倍以上，至近90億美元。
多位知情人士透露，三星電子HBM3系列尚未通過英偉達的供貨資格。三星電子在HBM領域的競爭中落後於SK海力士和美光科技同樣表現在股價上。數據顯示，三星電子股價今年以來下跌了7%，而SK海力士和美光科技的股價今年以來則分別上漲了17%和14%。
對此，三星電子迴應稱，其NCF技術是HBM產品的“最佳解決方案”，並將用於最新的HBM3E芯片。該公司表示：“我們正在按計劃開展我們的HBM3E產品業務。”三星電子還發表了一份聲明稱：“有關三星電子將MR-MUF應用於HBM生產的傳言是不實的。”