智通財經APP獲悉，信達證券發佈研究報告稱，近日，美光宣佈已開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。英偉達H200TensorCoreGPU將採用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內存，並於2024年第二季度開始出貨。該行認爲受益於AI算力需求的強勁推動，HBM或將成爲存儲芯片市場復甦的主要驅動力，同時國內存儲廠商也加速產品佈局和技術突破，相關產業鏈上下游的廠商有望加速受益。
建議關注：1)存儲：江波龍(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)、兆易創新(603986.SH)等;2)先進封裝：通富微電(002156.SZ)、長電科技(600584.SH)等;3)代理：香農芯創(300475.SZ)等;(4)設備和材料：北方華創(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)等。
信達證券觀點如下：
海外大廠HBM3E量產在即。
(1)近日，美光宣佈已開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。英偉達H200TensorCoreGPU將採用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內存，並於2024年第二季度開始出貨。美光HBM3E引腳速率超過9.2Gb/s，提供超過1.2TB/s的內存帶寬。與HBM3相比，HBM3E將數據傳輸速率和峯值內存帶寬提高了44%。(2)三星發佈首款36GBHBM3E12HDRAM，目前爲三星容量最大的HBM。三星HBM3E12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s，產品容量也達到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM38H，HBM3E12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。相比HBM38H，HBM3E12H搭載於人工智能應用後，公司預計人工智能訓練平均速度可提升34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍。(3)SK海力士於1月中旬正式結束了HBM3E的開發工作，並順利完成英偉達歷時半年的性能評估，計劃於3月開始大規模生產HBM3E產品，這批HBM3E將用於英偉達下一代Blackwell系列的AI芯片旗艦產品B100上，而英偉達則計劃於2024年第二季度末或第三季度初推出該系列產品。
國內存儲廠商入局HBM市場。
根據採招網，近日，武漢新芯發佈《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目，利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器(HBM)產品，推進多晶圓堆疊工藝產業化，新增生產設備約17臺/套，擬實現月產出能力≥3000片(12英寸)。該行認爲，國內存儲廠商在HBM技術上的加速突破，有望在AI大浪潮的需求下提升競爭實力，相關產業鏈也或將受益。
AI浪潮驅動，HBM先進封裝、設備材料產業鏈環節持續受益。
HBM製造工藝包括TSV、Bumping和堆疊等工藝環節。HBM是由多個DRAMdie堆疊而成，利用硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump)將die之間相連接，多層DRAMdie再與最下層的Basedie連接，然後通過凸塊(Bump)與硅中階層(interposer)互聯。HBM與GPU、CPU或ASIC共同鋪設在硅中階層上，通過CoWoS等2.5D封裝工藝相互連接，硅中介層通過CuBump連接至封裝基板(PackageSubstrate)上，最後封裝基板再通過錫球與下方的PCB基板相連。根據全球半導體觀察，目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右，HBM良率的高低主要受到其堆疊架構複雜性的影響，這涉及到多層次的內存結構和作爲各層連接之用的直通TSV技術。這些複雜技術增加了製程缺陷的風險，可能導致良率低於設計較簡單的內存產品。因此存儲大廠紛紛加碼HBM先進封裝，提升HBM良率並降低功耗。此外，根據CFM，SK海力士擬將新一代HBM4堆棧直接放置在處理器上，通過3D堆疊的形式進一步提高I/O數量。
風險因素：下游需求不及預期風險;國內技術研發不及預期風險;中美貿易摩擦加劇風險。