智通財經APP獲悉，天風證券發佈研究報告稱，先進封裝主要是採用鍵合互連並利用封裝基板來實現的封裝技術，應用先進的設計思路和先進的集成工藝，對芯片進行封裝級重構，並且能有效提升系統高功能密度的封裝，主要包括倒裝芯片封裝、晶圓級封裝、2.5D封裝、3D封裝等。根據Yole預測，全球先進封裝市場規模2026年或達482億美元，2021-2026年的CAGR約8%，將爲全球封測市場貢獻主要增量。
相關標的：芯源微(688037.SH)(塗膠顯影溼法設備鍵合機)，中微公司(688012.SH)(刻蝕設備)，拓荊科技(688072.SH)(鍵合設備)等。
▍天風證券主要觀點如下：
封測是半導體產業鏈重要一環：封裝技術分爲傳統封裝和先進封裝，兩種技術之間不存在明確的替代關係。
傳統封裝：具有性價比高、產品通用性強、使用成本低、應用領域廣等優點;
先進封裝：主要是採用鍵合互連並利用封裝基板來實現的封裝技術，應用先進的設計思路和先進的集成工藝，對芯片進行封裝級重構，並且能有效提升系統高功能密度的封裝，主要包括倒裝芯片封裝、晶圓級封裝、2.5D封裝、3D封裝等。根據Yole預測，全球先進封裝市場規模2026年或達482億美元，2021-2026年的CAGR約8%，將爲全球封測市場貢獻主要增量。
先進封裝四要素：RDL、TSV、Bump、Wafer
具備其中任意一個要素都可以稱爲先進封裝;其中在先進封裝的四要素中，RDL起着XY平面電氣延伸的作用，TSV起着Z軸電氣延伸的作用，Bump起着界面互聯和應力緩衝的作用，Wafer則作爲集成電路的載體以及RDL和TSV的介質和載體。
晶圓級封裝：Fan-in&Fan-out&技術延展
晶圓級封裝是指晶圓切割前工藝，所有工藝都是在晶圓上進行加工，晶圓級封裝五項基本工藝包括光刻(Photolithography)、濺射(Sputtering)、電鍍(Electroplating)、光刻膠去膠(PRStripping)和金屬刻蝕(MetalEtching)。
2.5D/3D封裝：
2.5D封裝：集成密度超過2D但達不到3D，先進封裝領域特指採用了中介層(interposer)集成方式，中介層目前多采用硅材料(成熟工藝和高密度互連特性);高密度互聯時，TSV幾乎是不可缺少的，中介層TSV被稱爲2.5TSV。
3D封裝：指芯片通過TSV直接進行高密度互連，芯片上直接生產的TSV被稱爲3DTSV。芯片相互靠得很近，延遲會更少，此外互連長度的縮短，能減少相關寄生效應，使器件以更高頻率運行，從而轉化爲性能改進，並更大程度的降低成本。
風險提示：
行業技術進步風險、償債風險、原材料供應及價格變動風險等。