智通財經APP獲悉，光大證券發佈研究報告稱，2024年將是半導體復甦的一年，其中存儲芯片、EUV光刻膠以及納米銀的增長值得關注。存儲芯片方向，建議關注Low-α球硅/球鋁上市企業聯瑞新材(688300.SH)等;EUV光刻膠方向，根據清華大學最新研究進展，可能採用氧化鋯基光刻膠的技術路線，建議關注鋯金屬上市企業東方鋯業(002167.SZ);納米銀方向，建議關注西部材料(002149.SZ)(目前公司研發的納米銀線主要應用於柔性屏，是否能實際應用於功率半導體封裝尚未明晰)。
事件：
近日，6家市場調研機構分別更新了對2024年半導體市場增速的預測，增速在13%~20%不等。
▍光大證券主要觀點如下：
2024年將是半導體的復甦之年，其中存儲芯片的增速最快。
根據WSTS於2023.11月發佈的統計與預測，2023年全年半導體市場規模整體下降9.4%，而2024年半導體市場整體規模將增長13.1%，其中存儲芯片行業規模有望飆升至1300億美元左右，相比前一年大幅增長超過40%。
存儲芯片的快速增長，將帶來Low-α球硅/球鋁的需求增量。
HBM屬於存儲芯片中的一種，由於高帶寬、高容量、低功耗等優勢，突破了內存容量與帶寬瓶頸，受到了存儲巨頭的高度重視。根據2023-11-24外發的研報《Low-α球鋁/球硅材料有望顯著受益於先進封裝大發展——HBM概念股異動點評》，HBM的快速增長將帶來Low-α球硅/球鋁的需求增長，預計到2025年，Low-α球硅/球鋁的市場空間將分別是2022年的1.66/2.91倍。
2023年半導體前道晶圓製造材料的國產化率較低的三個品種爲：光刻膠、掩膜版和前驅體。
2023年中國半導體晶圓製造材料的整體國產化率爲20%-30%，其中電子特氣、靶材國產化率約爲30-40%;硅片、溼電子化學品、CMP耗材總體國產化率約在20-30%。而光刻膠的國產化率仍然較低，其中EUV光刻膠的國產化率爲0，ArF光刻膠國產化率僅1%;此外，掩膜版、前驅體材料的國產化率也相對而言較低。
EUV光刻膠爲目前最前沿的技術難題，以氧化鋯爲主要成分的金屬基光刻膠爲目前研究進展較快的技術路線。
目前已報道的EUV光刻膠類型主要包括聚合物基光刻膠、有機分子玻璃光刻膠、金屬基光刻膠等。由於金屬基光刻膠的尺寸小、EUV吸收率高以及抗刻蝕性強，金屬基光刻膠得到了更爲廣泛的研究。2023年10月，清華大學的何嚮明研究員、徐宏副教授研發出了一種極其靈敏的氧化鋯雜化光刻膠系統，其靈敏度幾乎比聚合物基光刻膠高出兩個數量級。
2020至2025年，EUV光刻膠的市場佔有率將由不到1%增長到10%，氧化鋯需求也有望受到拉動。
根據TECHCET數據，2020年全球半導體光刻膠市場中佔比最大的爲ArFi，達40%，其次爲KrF佔比33%，EUV僅佔不到1%。而據集邦諮詢預測，隨着業界對提高計算能力和能效的芯片的追求，EUV光刻膠將迎來大幅增長，預計到2025年，EUV光刻膠將佔據10%的市場份額。
功率半導體的後道封裝環節中，納米銀是值得關注的材料。
納米銀燒結工藝是一種採用納米銀漿料作爲導電粘結材料的芯片封裝方法。簡單說就是用納米銀取代傳統封裝工藝中的金、錫等金屬焊料。納米銀的低溫連接、高服役溫度、高連接強度、高導熱率，使得其特別適合作爲大功率模塊的封裝材料。目前，半導體封裝用納米銀的應用仍然處於起步階段，市場空間廣闊。
風險提示：
半導體技術路線更替風險，政策變動風險，理論研究未落地風險等。