智通財經APP獲悉，中信證券發佈研究報告稱，展望功率器件板塊2024年發展趨勢，1)MOS&二三極管行業週期底部逐步明確;2)IGBT短期仍有降價壓力，相關本土廠商競爭力已得到充分提升，部分廠商已開啓出海之路;長期來看，國產廠商的全球份額仍有提升空間;3)800V驅動SIC功率器件上車節奏加速，同時本土廠商在主驅SIC MOS領域已成功實現突破，有望逐步縮小與海外廠商的差距。
▍中信證券主要觀點如下：
MOS&二三極管：部分廠商發佈漲價函，行業週期底部進一步明確。
根據道合順芯聞微信公衆號，近期多家功率器件或相關封測廠商陸續發送產品漲價函，計劃針對MOS&二三極管產品以及相關封測服務價格調漲5%~25%。與IGBT相比，MOS&二三極管價格下行更早，跌價幅度也更大，這一點從相關上市公司的單季度毛利率變化趨勢可以驗證。
考慮到當前下游需求處於溫和復甦過程，還不足以支撐價格全面回暖，但行業週期底部信號進一步明確。在此過程中頭部廠商有望憑藉成本和價格優勢進一步整合市場;此外，部分頭部設計公司有望受益於代工廠降價，毛利率逐步回升，中長期則仍需觀察需求回暖趨勢。
IGBT：短期面臨降價壓力，長期國產廠商份額仍有提升空間。
2023年，因光伏與電動車滲透節奏有所放緩，且全球IGBT晶圓產能加速釋放，IGBT行業供需關係已逐步從緊缺轉向平衡。預計2024年，光伏等下游短期仍有去庫存壓力，疊加新產能釋放，中短期內IGBT領域仍階段性存在降價壓力。中長期來看，看好國產IGBT廠商的全球份額進一步提升：
1)2020~2022年，受益於下游需求爆發+國內IGBT晶圓產能擴產節奏快於海外，國內IGBT領域國產化率加速提升，測算：IGBT國產化率2020時不足15%，2023年已超過30%;
2)在發展過程中，相關國產廠商在技術實力、客戶資源、配套服務等方面全方位進步，已具備與海外廠商正面競爭的實力，部分廠商甚至在工控/汽車等細分領域已開啓IGBT產品的出海之路，看好國產廠商在全球IGBT市場份額持續提升。
SIC：800V驅動SIC滲透加速，本土廠商已成功實現突破。
電動車已成爲SIC功率器件最重要的應用場景，結合集微網及Canalys的統計數據，測算當前電動車主驅的SIC滲透率已接近20%。而在高壓快充的發展趨勢下，電動車800V高壓平臺升級有望進一步帶動SIC滲透節奏加快：2023年下半年以來“800V+SIC”已成爲新車型發佈的明星配套方案，熱點車型包括理想MEAG、蔚來ET9、小鵬G6、智界S7、問界M9、上汽智己LS6等。
目前SIC MOS主力供應商(尤其是主驅場景)包括的海外廠商。而國產廠商也正加大SIC領域的佈局力度，部分廠商在主驅用SIC MOS領域已實現產品突破，未來2~3年有望逐步縮小與海外大廠的差距。
投資策略。
覆盤功率器件板塊：2020~2022年受益於新能源需求爆發，疊加國產替代加速推進，相關公司迎來戴維斯雙擊;2022年下半年以來，功率器件板塊景氣度逐步回落，不同細分賽道的節奏存在差異：MOS及二三極管下游需求中消費類佔比更高，因此產品價格下行更早，跌價幅度更大;IGBT由於下游需求中新能源佔比高，且國產化率相對較低，景氣持續度更高。當前，
1)MOS&二三極管領域，部分廠商發佈漲價函，不認爲下游需求支持全面漲價，但行業週期底部的信號進一步明確;
2)IGBT領域，預計2024年仍將面臨一定降價壓力，但相關廠商競爭力得到充分提升，斯達半導、時代電氣等部分廠商甚至已開啓出海之路，長期看本土廠商的全球份額仍有進一步提升空間;
3)SIC領域，800V趨勢有望加速SIC上車節奏，且本土廠商在主驅SIC MOS領域已實現突破。
總結而言，短期來看，中低端功率器件行業週期見底，其中部分廠商受益代工廠降價毛利率有望逐季改善;中長期來看，SIC是功率器件下一個重要的產業趨勢。
風險因素：
市場競爭加劇的風險;行業去庫節奏不及預期的風險;下游需求恢復不及預期的風險;SIC滲透節奏不及預期的風險;國產廠商SIC產品上量節奏不及預期的風險。