智通財經APP獲悉，光大證券發佈研究報告稱，調製器爲光模塊核心部件之一，鈮酸鋰材料也是調製器的重要組成部分，薄膜鈮酸鋰調製器具有尺寸小、帶寬大的優點，適配於800G等高速率光模塊場景。隨着後續800G、1.6T甚至更高速率光模塊的推進，光/電單信道200 Gbit/s技術將會實現普及，鈮酸鋰技術路線未來可期，預計2025年全球鈮酸鋰晶體市場規模有望達到35.0-40.4億元。建議關注國內佈局鈮酸鋰晶體材料的天通股份(600330.SH)。
光大證券觀點如下：
AI對算力需求是加速光模塊向800G以上迭代的主要推動力。
光通信是算力網絡的重要基礎和堅實底座， 800G光模塊具有高速傳輸、高密度、低功耗和高可靠性的特點，可廣泛適用於IDC數據中心、光通信骨幹網等應用場景。因此AIGC的高速發展將加速光模塊向 800G 及以上產品迭代。根據Light counting預測，800G光模塊有望從2025年底開始主導市場。按照銷售額口徑統計，800G光模塊的佔比有望從2022年的7%上升至2025年的50%，達到16億美元。
調製器爲光模塊核心部件之一，鈮酸鋰材料也是調製器的重要組成部分。
調製器是光模塊的重要組成部分之一，其主要功能是將電信號轉化爲可傳輸的光信號。根據頭豹研究院2022年6月報告，在中端光模塊中，光器件成本佔比約73%;根據光庫科技2020年8月公告，預計2023年薄膜鈮酸鋰調製器成本構成中，直接材料費比例達到59%，因而鈮酸鋰材料在調製器中也是重要組成部分之一。
薄膜鈮酸鋰調製器適配於高速率光模塊，頭部企業均有佈局。
常見的電光調製器按材料劃分主要可以分爲硅基調製器、磷化銦調製器和鈮酸鋰調製器。薄膜鈮酸鋰調製器具有尺寸小、帶寬大的優點，適配於800G等高速率光模塊場景。基於硅基的調製器速率約爲60-90Gbaud，磷化銦(InP)調製器可達到130Gbaud，薄膜鈮酸鋰調製器已有產品速率可達到260 Gbaud。因而隨着後續800G、1.6T甚至更高速率光模塊的推進，光/電單信道200 Gbit/s技術將會實現普及，鈮酸鋰技術路線未來可期。國內頭部企業新易盛、聯特科技等均有鈮酸鋰產品或產業佈局，華爲及其旗下哈勃投資已參股鈮酸鋰晶體及薄膜鈮酸鋰企業。
大尺寸鈮酸鋰晶體制備工藝難度較大，長晶的熱場設計或是核心環節之一。
由於下游器件向小型化、批量化、低成本方向發展，因而也要求鈮酸鋰晶體材料向大尺寸方向發展，對於大尺寸(6-10英寸)鈮酸鋰單晶生長來說，存在生長界面溫場調控困難、繼承性缺陷多、晶體熱應力大等問題，極易導致晶體開裂，因而單晶生長過程中的熱場設計或爲最重要的環節之一。國內已有諸如天通凱巨(天通股份子公司)、南智芯材、德清華瑩(央企中電科技控股、華爲參股)等企業佈局大尺寸產品。
大尺寸鈮酸鋰晶片市場被國外廠商壟斷，國產替代未來可期。
全球鈮酸鋰單晶行業主要企業爲日本信越化學、日本住友金屬、德國愛普科斯、德國KorthKristalle、中國臺灣兆遠科技、中國大陸德清華瑩和天通股份等。根據共研網數據統計，2021年國內鈮酸鋰企業產能主要集中在德清華瑩和天通股份，約各佔40%，而目前大尺寸鈮酸鋰晶片市場仍被國外廠商壟斷，國產率低於5%。從各公司鈮酸鋰晶體產品指標對比看，如厚度偏差、翹曲度、透光範圍等核心指標國內企業已接近國外第一梯隊日本住友金屬、德國Korth Kristalle等企業，國產替代值得期待。
預計2025年全球鈮酸鋰晶體市場規模有望達到35.0-40.4億元。
綜合考慮聲學級鈮酸鋰晶體在SAW濾波器下游應用以及光學級鈮酸鋰晶體在光模塊以及光纖陀螺等下游的應用，根據保守和樂觀兩種假設測算，預計2025年全球鈮酸鋰晶體市場規模有望達到35.0-40.4億元，2022-2025年CAGR 17.9%-23.6%，其中光模塊領域薄膜鈮酸鋰市場規模的佔比將有望達到7.2%-19.6%。
風險提示：濾波器、光模塊需求不及預期、替代品技術路線快速發展迭代等。