智通財經APP獲悉，隨着華爲、蘋果、小米等多品牌新機密集上市，消費電子產業加速回暖。中國信通院最新數據顯示，2023年9月，國內市場手機出貨量3327.7萬部，同比增長59.0%，其中，5G手機2871.7萬部，同比增長90.1%。中信建投研報也表示，伴隨經濟復甦及頭部品牌的拉動，整個消費電子市場逐漸呈現復甦跡象。相關標的：瑞聲科技(02018)、中國軟件國際(00354)、丘鈦科技(01478)、中芯國際(00981)。
近一段時間，蘋果、華爲、小米等大廠新品接連發布，消費電子旺季來臨。蘋果9月13日召開iPhone 15發佈會，此前華爲推出HUAWEI Mate 60，高端手機暢銷市場。安卓系統龍頭廠家小米也提前發佈新機。競爭壓力下，小米14於10月26日提前發佈，這比計劃提前了兩個月。
隨着各品牌新品的不斷髮布，消費者購機意願被充分調動。根據Counterpoint Research最新一期的智能手機360週報顯示，中國智能手機市場正在呈現出復甦跡象，10月的前四周平均同比增長了11%。
中國信通院數據顯示，2023年9月，國內市場手機出貨量3327.7萬部，同比增長59.0%，其中，5G手機2871.7萬部，同比增長90.1%，佔同期手機出貨量的86.3%。
隨着消費電子板塊奏出復甦“強音”，相關上市公司也在三季報中傳來喜訊。
深市消費電子公司立訊精密發佈三季度報告，得益於消費電子、汽車互聯、通訊互聯等領域的營收有較大幅度增長，公司第三季度實現利潤30.18億元，同比增長15.37%，前三季度實現利潤73.74億元，同比增長15.22%。同時，公司預計2023年淨利潤爲107.67億元至112.25億元，同比增長17.5%至22.5%。
立訊精密董事長、總經理王來春在10月22日接受投資者調研時表示，以公司前9個月的情況來看，大客戶以外的國內外消費電子業務還增長了10%至20%。所以未來在大客戶以外的消費電子業務方面，我們預期每年會超市場平均水平以兩位數百分比增長。
國金證券表示，消費電子行業第三季度業績改善明顯，消費電子的需求正在回暖。AI賦能消費電子，有望帶來新的換機需求，後續看好AI新技術驅動，以及自主可控受益的產業鏈公司。
中信建投研報也表示，今年以來，消費電子板塊逐步回暖，尤其近期受華爲產業鏈概念影響，消費電子板塊表現強勢。華爲此前發佈新機後，在消費電子產業鏈掀起了一波備貨熱潮，同時蘋果iPhone15系列等手機新品帶動下，產業鏈浮現出更多回暖信號。
伴隨經濟復甦及頭部品牌的拉動，整個消費市場逐漸呈現復甦跡象。消費電子板塊估值水平整體較低，修復空間大。基於產業鏈業績逐季改善、需求有望逐漸走出低谷，看好自主可控+技術創新帶來的消費電子板塊新一輪成長。
展望後續，在不少業內人士看來，未來依託於AI、大模型等技術性的創新，可爲行業帶來更長久的繁榮。
短期來看，國信證券認爲，消費電子的備貨旺季已經正式拉開序幕，手機面板、存儲、被動件等細分行業數據全面升溫。儘管當前復甦信號仍然集中在供給備貨層面，後續多個促銷旺季的銷售數據，以及AI手機、蘋果MR等新品推出所體現的創新和成長性將成爲消費電子行情延續的關鍵。
中長期來看，長江證券研報指出，隨着頭部廠商不斷推出科技新品，疊加價格上漲、訂單回暖等因素，消費電子產業鏈的復甦邏輯得到強化。正如上一輪5G創新週期最開始先由2019年“基建先行”，向2020年“換機週期”加速轉變。2023年AI創新週期由光模塊、服務器的“B端付費”正在向2024年消費電子“C端付費”進行轉變。
相關概念股：
瑞聲科技(02018)：瑞聲擁有25個銷售中心，5大製造基地(中國深圳，常州，沭陽，蘇州，越南)，以及分別在中國，美國，芬蘭，丹麥，韓國，日本和新加坡設立的14個研發中心，2016年營收155億人民幣。瑞聲科技爲華爲手機提供聲學元件包括揚聲器和聽筒等產品。
中國軟件國際(00354)：公司深度參與華爲消費者終端、鴻蒙、AI大模型、MetaERP等核心業務，通過多年合作，華爲業務已經成爲公司營收的“半壁江山”。中軟國際深度參與鴻蒙研發落地和更新迭代，對鴻蒙系統有着代碼級理解，亦是HDC鴻蒙生態合作中唯一的簽約IT服務公司，可以說是鴻蒙生態中最根正苗紅的軟件服務商。根據市場上活躍度較高的100萬個APP應用來測算，單是鴻蒙生態遷移就有望讓中軟國際觸達高達200億的增量市場空間。
丘鈦科技(01478)：華爲最新旗艦機型 Mate 30，P40pro，Vivo雙模5G旗艦手機X30的部分攝像頭模組由丘鈦科技生產。
中芯國際 (HK:0981)(00981)：華爲新推出的Mate 60 Pro智能手機採用了中國中芯國際生產的先進芯片。有猜測稱麒麟9000S芯片是利用中芯國際和芯動科技自主研發的FinFET N+1技術完成了芯片的設計。中芯國際作爲中國唯一能夠量產14納米FinFET工藝的公司，它的N+1和N+2工藝均源於14納米FinFET技術的進一步優化。