智通財經APP獲悉，東吳證券發佈研究報告稱，碳化硅市場高增長趨勢吸引業界激進投資，遠期規劃產能合計數已超遠期需求，未來供過於求將導致尾部廠商被出清，技術(降本能力)、產能(有效產能)、客戶關係爲決定競爭格局的關鍵要素。建議關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商，推薦天嶽先進(688234.SH)(襯底龍頭擴產、拓客並舉，業績拐點將至)，建議關注晶升股份(688478.SH)(長晶爐)、中芯集成(688469.SH)(代工廠)、斯達半導(603290.SH)(器件)等。
東吳證券主要觀點如下：
800V 車型密集發佈，碳化硅是 800V 高壓快充標配。碳化硅耐高壓特性適配 800V 高壓快充車型，同時 SiC 方案可實現新能源汽車三電系統降本、增效。23 年有小鵬 G6、極氪 X、智己 LS6 等多款 20-25 萬元價格段的標配碳化硅車型上市，可見新勢力車企的高性能策略已強勢拉動碳化硅滲透，未來仍將有同價格段車型如極氪 007 等上市。碳化硅市場未來將由新能源汽車主導拉動，預計 2028 年全球市場規模有望達到 66 億美元，22-28 年 CAGR 高達 32%。
襯底端，國產產能釋放拉動降本，重視各廠商產能實際交付能力。1)SiC 價格較高限制應用放量，21 年襯底佔成本比例約 46%、是產業鏈的核心降本環節，24-25 年國產襯底廠商市場釋放是產業鏈降本、打開需求空間的關鍵時點。2)根據 Yole 數據，2022 年全球碳化硅襯底市場中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ和 SICrystal 三家合計佔據約 72%市場份額，國產廠商天科合達、天嶽先進加速追趕，22 年導電型襯底合計實現營收 1.04億美元，合計佔比 15%，同比+5pct。3)儘管各國產廠商規劃產能增速極高，但由於碳化硅襯底存在降低缺陷密度等技術門檻，因此並非所有規劃產能均能如期實際交付，部分廠商未來可能出現技術落後將導致盈利能力不佳，從而放緩擴產節奏，尾部廠商將主動或被動完成產能出清。
器件端，國產廠商研發、擴產並舉，24 年有望成爲國產化元年。1)根據 Yole 數據，2021 年 SiC 市場份額前五廠家均爲歐美日企業，合計佔據 93%的市場份額，其中意法半導體依靠與特斯拉的合作佔據全球 40%的市場份額。2)國產設計廠商持續推出導通電阻更低、性能更優的碳化硅芯片產品，同時傳統設計公司已開始涉足碳化硅晶圓製造產線建設，擬完成碳化硅 IDM 能力構建。國產代工廠商持續提升工藝平臺能力、擴建產能。3)可比國產 IGBT 上車歷史，憑藉供應本土化優勢，國產碳化硅模塊廠商有望加速上車，24 年有望成爲器件國產化元年。
投資建議：碳化硅市場高增長趨勢吸引業界激進投資，遠期規劃產能合計數已超遠期需求，未來供過於求將導致尾部廠商被出清，技術(降本能力)、產能(有效產能)、客戶關係爲決定競爭格局的關鍵要素。建議關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商，推薦天嶽先進(襯底龍頭擴產、拓客並舉，業績拐點將至)，建議關注晶升股份(長晶爐)、中芯集成(代工廠)、斯達半導(器件)等。
風險提示：碳化硅在車端、樁端滲透不及預期風險;國產化進度不及預期風險;擴產進程不及預期風險;價格戰的風險。