智通財經APP獲悉，華西證券發佈研究報告稱，11月13日，英偉達在S23大會上發佈了下一代AI芯片NVIDIAHGXH200，其升級重點爲搭載全新HBM3e內存。AI算力催化下HBM需求爆發式增長。據慧聰電子，2023年開年後三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單就快速增加，價格也水漲船高，據悉近期HBM3規格DRAM價格上漲5倍。該行認爲算力需求帶動HBM爆發式增長，上游原材料受益標的：華海誠科(688535.SH)、聯瑞新材(688300.SH)、雅克科技(002409.SZ)、壹石通(688733.SH)。
事件：北京時間11月13日，英偉達在S23大會上發佈了下一代AI芯片NVIDIAHGXH200，其升級重點爲搭載全新HBM3e內存。本次NVIDIA計劃的H200，實際上是配備HBM3e內存的獨立H100加速器更新版本。據英偉達稱，H200預計將於2Q24出貨，AWS、谷歌雲、微軟Azure、甲骨文雲等均將成爲首批部署基於H200實例的雲服務提供商。依據英偉達公佈的未來產品路線圖，明後年將繼續推出B100、X100，性能有望進一步提升。
華西證券觀點如下：
H200性能提升主要表現在AI推理和HPC計算上
H200作爲首款採用HBM3e的GPU，擁有141GB顯存容量和4.8TB/s顯存帶寬。與H100的80GB和3.35TB/s相比，顯存容量增加76%，顯存帶寬增加43%。在性能表現上，H200增強了生成式AI和高性能計算(HPC)能力。根據英偉達官網數據，在用於GPT-3(175B)、Llama2-70B大模型時，H200的推理速度較H100分別提升60%(1.6倍)、90%(1.9倍)。在處理模擬仿真、科學研究、AI等顯存密集型HPC應用時，H200速度相較H100提高20%以上，相較雙核X86CPU提高110倍。
HBM通過存儲堆棧結構大幅打破內存帶寬瓶頸
據電子發燒友，HBM將多層DRAM芯片通過硅通孔(TSV)和微型凸點(uBump)連接在一起，形成一個存儲堆棧(stack)，然後將多個堆棧與邏輯芯片(如GPU或CPU)通過硅中介層(interposer)封裝在一起。其核心優勢是通過3D堆疊實現了高密度存儲，從而大幅提升了每個存儲堆棧的容量和位寬。
AI算力催化下HBM需求爆發式增長
TrendForce數據顯示，到2024年，HBMbit供應量將顯著增加105%。據慧聰電子，2023年開年後三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單就快速增加，價格也水漲船高，據悉近期HBM3規格DRAM價格上漲5倍。根據KIW2023半導體會議消息，合計掌控着全球90%HBM芯片市場的兩家大廠SK海力士和三星均表態，計劃明年將HBM芯片產量提高一倍，併爲了更好應對HBM不斷增長的需求，而減少其他類別存儲芯片的投資。其中，海力士佔據先發優勢，在2023年5月率先推出了HBM3e，宣佈將於2023年下半年發佈樣品，2024年上半年投入生產。
HBM拉動ALD前驅體需求大幅增長
HBM先進DRAM加工工藝和TSV加工工藝中，ALD爲關鍵核心設備之一。原子層沉積(ALD)是一種逐層進行原子級生長的薄膜製備技術,通過調控不同的前驅體類型，在基底表面發生化學吸附反應。ALD可實現高深寬比、極窄溝槽開口的優異臺階覆蓋率及精確薄膜厚度控制。AI服務器的HBM3由8或12個DRAM裸片堆疊製成，驅動其前驅體用量實現大幅增長。AI需求驅動HBM高增，有望持續爲前驅體市場帶來增量。
HBM帶來堆疊層數提升、散熱需求升級，對GMC以及粉體顆粒性能提出更高要求
GMC是顆粒狀環氧塑封材料，顆粒狀環氧塑封料在塑封過程採用均勻撒粉的方式，在預熱後變爲液態，將帶有芯片的承載板浸入到樹脂中而成型，憑藉操作簡單、工時較短、成本較低等優勢，GMC有望發展成爲主要的晶圓級封裝塑封材料之一，市場發展前景良好。
HBM封裝帶來堆疊層數提升、散熱需求升級，對封裝材料及粉體顆粒性能提出更高要求。帶動了低CUT點、高填充、低放射性含量的硅微粉、具備特殊電性能如LowDf(低介質損耗)等特性的球形硅微粉和高純球形氧化鋁粉需求增加。
投資建議：
算力需求帶動HBM爆發式增長，上游原材料受益標的：
1)華海誠科：公司爲國內環氧塑封材料龍頭，主要產品包括環氧塑封料和電子膠黏劑，是國內少數具備芯片級固體和液體封裝材料研發量產經驗的專業工廠。
在環氧塑封料方面，公司聚焦先進封裝領域，充分結合先進封裝的技術特徵對關鍵的應力、吸水率、分層、翹曲控制、導熱性、可靠性等多種性能進行相關的配方與生產工藝研究，不斷完善與豐富技術積累和儲備。目前已成功研發了應用於QFN/BGA、FC、SIP、FOWLP/FOPLP等封裝形式的封裝材料，且相關產品已陸續通過客戶的考覈驗證。2022年公司高性能環氧模塑料收入佔全部收入超過50%，佔比持續提升，正逐步實現國產替代。
公司顆粒狀環氧塑封料(GMC)可以用於HBM的封裝，並且GMC技術上可以實現對日系兩家公司產品的替代。公司相關產品已通過客戶驗證，現處於送樣階段。
在電子膠黏劑方面，公司重點發展應用於先進封裝的FC底填膠與液態塑封料(LMC)，從而在技術研究、產品測試、客戶開發等方面與環氧塑封料實現協同效應，強化了公司在先進封裝領域的佈局。
2)聯瑞新材：公司爲國內無機填料和顆粒載體行業龍頭。其持續聚焦高端芯片(AI、5G、HPC等)封裝、異構集成先進封裝(Chiplet、HBM等)、新一代高頻高速覆銅板(M7、M8等)等下游應用領域的先進技術，並不斷推出多種規格低CUT點Lowα微米/亞微米球形硅微粉、球形氧化鋁粉，高頻高速覆銅板用低損耗/超低損耗球形硅微粉等功能性粉體材料。
GMC中需要添加TOPCUT20um以下球硅和Lowα球形氧化鋁，其中Lowα球鋁主要應用於高導熱存儲芯片封裝等高端芯片封[Table_Summary]裝領域。公司部分客戶是全球知名的GMC供應商，公司配套供應HBM所用球硅和Lowα球鋁。
3)雅克科技：公司爲全球領先前驅體供應商，HIGH-K、硅類、金屬類前驅體產品覆蓋先進1bDRAM、200X層以上NAND、3nm先進邏輯電路等。根據公司公告，雅克科技通過收購UPChemical，成功躋身高端前驅體材料市場，深度綁定全球領先的儲存芯片製造商海力士、三星電子。公司產品應用於AI服務器HBM3中堆疊的8或12個DRAM裸片。AI驅動HBM市場擴容，帶動ALD前驅體需求高增長。
4)壹石通：公司爲封裝用球鋁核心供應商。在芯片封裝材料領域，公司主要產品包括Lowα球形二氧化硅、Lowα球形氧化鋁，可作爲EMC(環氧塑封料)和GMC(顆粒狀環氧塑封料)的功能填充材料。其中，Lowα球形二氧化硅產品的新增產能正在施工建設中;Lowα球形氧化鋁產品預計在2023年四季度陸續投產，規劃年產能200噸。在全球範圍內，目前能達到Lowα射線控制及磁性異物控制，同時在形貌控制上可以實現納米級產品的企業較少，公司目前已完成研發Lowα射線球形氧化鋁產品，有望打破國外壟斷，推動國內高端芯片封裝材料的產業升級。
風險提示：海外製裁加劇、客戶驗證進度不及預期、行業復甦不及預期等。