智通財經APP獲悉,根據TrendForce集邦咨詢研究,從産業結構來看,中國的SiC功率半導體産值以功率元件業(包含Fabless、IDM以及Foundry)占比最高,達42.4%,接續爲襯底片制造業及外延片制造業。
對于SiC襯底及外延材料環節,中國廠商已逐漸贏得海外領先業者的認可,並在供應鏈中享有可觀的份額,尤其體現在外延片環節。須留意的是,在SiC晶體厚度與一致性指標上,本土廠商仍需付出諸多努力,以期實現在汽車電驅系統等更多高端場景中的應用。當前中國正在展開大規模的SiC材料擴産行動,TrendForce集邦咨詢預估2023年中國N-Type SiC襯底産能(折合6英寸)可達1020Kpcs,其中以天科合達份額續居首位。
隨着新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下遊市場的快速爆發,中國的SiC功率元件市場規模正在迅速擴大。據TrendForce集邦咨詢統計,按2022年應用結構來看,光伏儲能爲中國SiC市場最大應用場景,占比約38.9%,接續爲汽車、工業以及充電樁等。當然,汽車市場作爲未來發展主軸,即將超越光伏儲能應用,其份額至2026年有望攀升至60.1%。
在此情況下,中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業務,整體市場進入高度競爭階段。尤其針對低階二極管,不少廠商深感無力而陸續退出,進一步聚焦凸顯核心競爭力的MOSFET業務。
再觀察SiC晶圓産線情況,據TrendForce集邦咨詢不完全統計,截至3Q23,中國已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家,7家實現量産;Foundry廠商9家,5家實現量産。以各家晶圓産能來看,叁安光電與積塔半導體分別位居IDM與Foundry廠商首位。
整體來看,盡管中國SiC晶圓廠産能擴張的步伐仍在繼續,但有效的MOSFET産能並不理想。TrendForce集邦咨詢統計2022年由中國廠商釋放的SiC MOSFET晶圓産能尚不足全球10%,不過這一情況預計自4Q23開始會有所好轉。