FX168財經報社(香港)訊 美國科技禁令下，中國計劃圍繞單個粒子加速器，建造出一座容納多臺光刻機的大型工廠來實現製造本地化。科學家表示，這項技術可以超越美國的制裁，使中國成爲半導體芯片行業的新領導者。清華大學與雄安新區當局積極討論建設地點，中國國家主席習近平此前表態，雄安新區已進入大規模建設與承接北京非首都功能疏解並重，該新區被視爲「千年計劃」。
中國研究人員利用粒子加速器創建新型激光源，爲半導體制造的未來奠定基礎。目前正在計劃建造一個周長在100至150米，換算爲328至492英尺之間的粒子加速器，大約相當於兩個籃球場的大小。加速器的電子束將轉變爲高質量光源，用於現場芯片製造和科學探究。
(來源:SCMP)
與荷蘭ASML等傾向於縮小出口芯片製造機尺寸的企業相反，中國項目旨在通過圍繞單個加速器建造一座容納多臺光刻機的大型工廠來實現製造本地化。這項創新可以促進大批量、低成本的芯片製造，並有可能推動中國在先進芯片的工業生產中發揮領導作用。
要知道，光刻系統是人類創造的最複雜的機械之一。目前，超短波長的極紫外光(EUV)廣泛應用於7奈米及以下節點芯片的生產。荷蘭ASML是唯一一家擁有該技術並因此主導市場的公司，截至2022年底，ASML已交付180套EUV系統。據彭博社 4 月份發佈的報道稱，該公司還計劃今年出貨60臺EUV機臺。
儘管有許多研究人員在追逐這項技術，但中國科學家一直在探索不同的道路。該項目自2017年以來一直在運行，但由於華爲在芯片製造方面的突破，最近才進入公衆視野。「我們研究的潛在應用之一是作爲未來EUV光刻機的光源，我認爲這就是國際社會密切關注的原因，」項目負責人、清華大學教授Tang Chuanxiang在清華大學網站上的報告中說道。
新項目進展尚未向公衆披露，但Tang預計團隊和業界將進一步努力幫助中小企業發展。他相信該技術可以幫助中國擺脫未來的制裁，但沒有談論光刻機的具體進展。
香港《南華早報》(SCMP)報道稱，清華大學團隊正在與雄安新區當局積極討論，爲這一 尖端項目選擇建設地點。5月10日，習近平視察雄安新區，他表示雄安新區已進入「大規模建設」與「承接北京非首都功能疏解」並重階段。
該團隊研究背後的理論是一種稱爲穩態微聚束(SSMB)的新發光機制，它由斯坦福大學Zhao Wu教授和他的學生Daniel Ratner於2010年首次提出。值得關注的是，Zhao是知名物理學家Yang Zhenning的學生。
簡而言之，SSMB理論利用帶電粒子在加速過程中釋放的能量作爲光源。結果是窄帶寬、小散射角和連續的純EUV光。
Tang在清華報告中表示：「我們自主開發EUV光刻機還有很長的路要走，但基於SSMB的EUV光源爲我們提供了受認可技術的替代方案。」
「需要基於SSMB EUV光源不斷進行技術創新，並與上下游產業合作，構建可用的光刻系統。」
他在論文中還指出，SSMB-EUV光源的實現將爲材料科學、基礎物理、生物化學等學科的前沿研究提供新的工具。
