格隆匯3月30日丨據The Elec,業內人士稱,三星電子正在推進設備投資,以開發8英寸SiC/GaN工藝。據瞭解,今年早些時候,在組建了與SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)器件開發相關的功率半導體TF後,該公司正積極投資研發和原型生產所需的設施,迄今為止的投資額已超過1000億至2000億韓元。
格隆匯3月30日丨據The Elec,業內人士稱,三星電子正在推進設備投資,以開發8英寸SiC/GaN工藝。據瞭解,今年早些時候,在組建了與SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)器件開發相關的功率半導體TF後,該公司正積極投資研發和原型生產所需的設施,迄今為止的投資額已超過1000億至2000億韓元。