FX168財經報社(香港)訊 作為晶圓代工領頭羊的臺積電 (TW:2330)(NYSE:TSM)，30日在臺股股價遇到重挫，而在地緣政局上也面臨重大挑戰。隨著美國與臺積電的關系日漸緊密，英特爾(NASDAQ:INTC)首席執行官季辛格也高調表態，威脅美國若再不提供補貼將赴歐設芯片廠，三星則曝光與ASML取得關鍵協議，正式向臺積電下戰帖。
30日亞市早盤，臺股加權指數快速滑落，挫低跌破15000點嚇壞投資者。臺積電面臨宏觀經濟的沖擊，再加上如今先進制程也遇挑戰，30日亞市開盤挫低1.73%。
英特爾首席執行官季辛格(Pat Gelsinger)在2021年2月上任后，就推出野心勃勃的IDM 2.0戰略，希望通過大舉投資重新奪回被臺積電領先的半導體地位，其中一個重要內容就是在美國投資200億美元建設2座新的晶圓廠。
然而這個在美國俄亥俄州建廠的計劃目前被英特爾所延期，主要原因就是美國520億美元的芯片補貼法案遲遲不能落實，英特爾希望獲得大量補貼以降低芯片廠的成本。據報道，季辛格28日在阿斯彭思想節的小組討論會上表示，如果美國國會不能批準芯片法案(CHIPS)中承諾的520億美元的芯片制造政府補助，可能會在歐洲而不是美國擴大芯片生產。
季辛格在討論會上說：“我討厭宣布推遲”。他聲稱，英特爾計劃先在俄亥俄州“做大”，但如果沒有資金，最終會因此在歐洲投資更多。該公司已經計劃，投入約350億美元來擴大其在歐盟的生產，包括在德國新建價值180億美元的設施。季辛格還評論說，這個行業“不是在尋求施舍”，芯片法案的補助將使美國具有“與世界其他地區相比差不多的競爭力”。
韓媒Business Korea在30日報道，三星電子(KS:005930)和ASML(NASDAQ:ASML)就引進今年生產的極紫外光(EUV)曝光機，還有明年推出高數值孔徑極紫外光High-NA EUV曝光機達成采購協議。
三星電子副董事長李在镕本月初赴歐洲之行，他在14日前往ASML位于荷蘭Veldhoven的總部拜訪首席執行官溫尼克(Peter Wennink)，兩家公司簽署一項協議，將引進今年生產的EUV曝光機，還有計劃于明年推出高數值孔徑極紫外光High-NA EUV曝光機。
要知道，High-NA EUV曝光機設備精密度更高、設計零件更多，是延續摩爾定律的關鍵基礎設備，推動2奈米以下制程電晶體微縮，估計每臺要價4億美元，約合5000億韓元。
ASML今年只能生產50臺EUV設備，交貨周期為1年6個月，ASML有限的生產能力和較長的交貨時間，正加劇各大晶圓代工廠訂購High-NA EUV曝光機的競爭。
李在镕此次歐洲行就是要積極確保穩定供應，期許在先進制程上追趕臺積電，搶坐市占第一寶座。但臺積電在16日美國硅谷研討會上表示，會在2024年擁有ASML次世代最先進的曝光機。
據該報道所指，High-NA EUV曝光機應用于其晶片制程的具體時間尚未確定，但考慮到交貨時間，預計三星將從2024年開始實際使用這項設備。
近期一些市場觀察人士呼吁韓國政府對半導體業提供更多支持，前三星電子半導體研究所所長Kim Kwang-gyo近期表示，韓國政府對半導體產業過于輕視，若不果斷擴大投資和解決半導體產業問題，韓國半導體業會面臨死路一條的局面。
三星電子已獲得ASML今年EUV曝光機產能中的18臺，這意味著，三星僅在EUV曝光機上就將投資超過4萬億韓元。一位業內人士表示，如果三星采購10臺High-NA EUV曝光機，三星將花費超過5萬億韓元，政府有必要擴大支持，以提高韓國國家產業競爭力。