智通財經APP獲悉，英特爾(NASDAQ:INTC)周一宣布，投資30億美元擴建其位于美國俄勒岡州的D1X芯片研發工廠，該投資旨在加速技術開發，以幫助該公司重新獲得芯片行業的領先地位。
英特爾高級副總裁Sanjay Natarajan表示，工廠擴建面積爲27萬平方英尺，完成後將使D1X工廠的規模增加20%。Natarajan指出，D1X工廠實際上是一個巨大的實驗室，此次擴建將使其更有能力同時開發多種制造技術，並將它們應用到英特爾其他工廠的大規模生産。
英特爾重申，計劃到2025年擁有比競爭對手更先進的生産技術，並提前一年實現其工廠與競爭對手的持平。
英特爾首席執行官Pat Gelsinger正努力彌補其前任們失去的時間。英特爾曾是芯片領域毋庸置疑的領導者，如今卻落後于台積電(TSM.US)和叁星電子等公司，後者能提供比英特爾更爲先進的制程。此外，英偉達(NASDAQ:NVDA)和AMD(NASDAQ:AMD)都推出了更具競爭力的芯片産品，搶占了市場份額，並擠壓了英特爾的盈利能力、阻礙其增長。
D1X工廠便是Pat Gelsinger扭轉這一趨勢的重要抓手，英特爾的目標是在4年內掌握5代CPU工藝，企圖在技術上超越三星和台積電(NYSE:TSM)(TW:2330)。Pat Gelsinger表示，2024年的Intel3工藝節點不僅能夠全面領先AMD，還能夠順利地超越台積電，成爲代工技術最好的公司。不過，通常情況下，推出兩個節點之間往往需要18個月到兩年的時間間隔。
有媒體稱，升級後的D1X工廠將着重開發尖端EUV光刻技術。回顧過去，英特爾缺乏對EUV的重視，這導致該公司在半導體工藝技術方面失去了一些競爭基礎。
不過，英特爾在意識到了自身存在的嚴重不足之後，近兩年一直在努力地推進先進工藝量産。此前有媒體報道稱，首批阿斯麥的EUV光刻機設備已進入英特爾的Fab34晶圓廠，要爲今年下半年的4nm芯片量産做准備。
除了此次宣布斥資30億美元擴建D1X工廠之外，英特爾此前還曾宣布，計劃共投入1000億美元在美國俄亥俄州建造世界最大芯片工廠，並計劃未來10年在歐洲投入800億歐元用于芯片研發、制造，以及先進的封裝技術。