近年來，國家密集出臺政策推動半導體產業的持續發展。在今年出臺的半導體八大優惠政策中，僅財稅政策一條——國家鼓勵的集成電路線寬小於28納米(含)，且經營期在15年以上的集成電路生產企業或項目，第一年至第十年免徵企業所得稅，便將對相關企業構成極大利好。
其中，半導體代工龍頭中芯國際(00981)則也是推動政策的受惠企業之一。今年三季度，公司單季度營收、淨利潤均創下歷史新高。年內，中芯國際股價也已累計實現逾90%漲幅。如今的中芯國際可以說已達到國際頭部廠商能力，但向世界一流晶圓廠水平進發仍有一段距離。
先進製程工藝收入佔比快速提升
智通財經APP瞭解到，隨着下游產業自公共衛生事件後逐步恢復，中芯國際於三季度實現營收10.83億美元，同比增長32.6%，環比增長15.3%，超過上期環比增加1%-3%指引;歸母淨利潤2.56億美元，同比增加122.7%，兩者均創下單季度歷史新高。
與此同時，公司毛利率較二季度有微幅下降至24.2%，但仍超過了上期19%-21%的指引。相比之下，公司歸母淨利潤率則自今年一季度以來持續提升。
據公司表示，三季度銷售額增加主要由訂單需求強勁、晶圓ASP上升和其他收入增加推動。也有分析認爲，公司收入增長表現較好一方面是由產品組合變化拉動，另一方面或也與H客戶在9月前進行集中拉貨有關。由此，公司全年收入增長預期也上修至24%到26%，全年毛利率目標高於去年。
具體來看，公司三季度銷售晶圓數量達到144萬片，同比增長9.5%;月產能也由二季度的48萬片提高至51萬片，產能利用率已連續五個季度高於97%，景氣度維持在高位。
在收入結構上，按服務類型劃分，晶圓代工收入佔比達到85%;按照應用類型分，智能手機類收入佔主導，佔比達到46%。智能家居類收入較過去也有較顯著提升，佔比由二季度的16.4%增長至三季度的20.5%。
而其中，14nm/28nm先進工藝佔比的快速提升，則是公司此次季報中的亮點之一。截至2020年三季度，中芯國際14nm/28nm工藝收入佔比達到14.6%，同比增長了10.3個百分點。
智通財經APP瞭解到，中芯國際14納米芯片在2019年四季度進入小範圍量產階段，截至2019年四季度及2020年一季度，公司14nm工藝收入佔比分別達1.0%、1.3%。自2020二季度起則與28nm工藝合併列示，因此尚無法確定14nm工藝的具體收入佔比。
但整體來看，公司三季度在較先進製程工藝方面的進展順利。從產品組合的構成來看，微米級別產品的收入佔比均有所減少，銷售佔比逐漸向先進技術端轉移。而14nm/28nm工藝佔比的增長則尤爲顯著。
據管理層透露，中芯國際14nm工藝芯片良率目前已達到了業界標準，意味着其所生產的芯片良率已達到95%。
截至目前，14nm工藝是芯片製造領域的一個分水嶺，掌握14nm工藝節點的廠商只有臺積電、英特爾、三星、格羅方德、聯電和中芯國際。中芯國際14nm工藝良率已達業界量產水準，在全球代工廠中規模僅次於臺積電和聯電。
然而，正如公司管理層於業績會上提到的，公司今年研發任務基本完成，即便FinFET取得成績，但與世界一流晶圓廠水平還有很多差距和道路要走。
追趕7nm製程工藝
縱觀全球芯片製造領域，各大廠商並不缺客戶，而是缺產能。作爲半導體代工廠，首先應該看的是技術、其次是收入、最後纔是利潤。
目前，中芯國際是全球僅有的6家掌握14nm工藝節點的廠商之一，是大陸具備完整成熟邏輯工藝製程、最先突破且唯一具備14nm生產能力的專業晶圓代工廠商。而到了7nm製程的角逐中，目前全球有能力提供7nm製程代工的廠商僅有三星和臺積電。
其中，在先進製程上，臺積電無疑是保持了在技術上最領先優勢。目前臺積電與三星均能夠量產5nm芯片，但三星良率沒有臺積電高。除此之外，臺積電4nm芯片預計在2021年開始正式批量生產，3nm將在2021年試產、2022年大批量產，而2nm芯片則預計在2024年量產。有消息稱，蘋果、英特爾等已經提前將3nm的芯片訂單交給臺積電。
在生產設備上，據ASML財報顯示，預計2020年交付35臺EUV光刻機，2021年則會達到45臺到50臺。考慮到公共衛生事件影響，目前EUV設備最大年產量僅30臺左右。EUV光刻機作爲7nm以下芯片生產所不可或缺的設備，臺積電已向ASML確認2020-2021年訂單，分別在2020、2021年下單約15-16臺、16-17臺設備，即兩年內拿下超30臺EUV光刻機，斥資約240億元。從目前情況來看，臺積電爲光刻設備的主要採購者，三星和英特爾則緊隨其後。
目前，爲實現技術上的突破，中芯國際開展N+1、N+2工藝戰略追趕7nm製程工藝。其中，N+1工藝已進入客戶導入產品認證階段，已小量試產，相較14nm性能可提升20%，主要面向低功耗應用領域。該製程已較格芯的12nm和聯電的14nm有所領先。
在這之後，中芯國際還有望於2021年推出N+2，面向高性能應用領域。據公司首席執行官梁孟鬆博士介紹，中芯國際在當前的環境下，N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝，等到設備就緒之後，N+2之後的工藝纔會轉向EUV光刻工藝。
由此可見，在中芯國際現有的研發進程下，公司正朝着第三家掌握7nm工藝的代工廠商邁進。但先進製程除需要時間進行迭代外，公司要邁入真正的7nm工藝階段還受到了生產設備的限制。而這，或許是管理層在業績會提到的，與“世界一流晶圓廠水平”之間的差距所在。
距離“世界一流”水平還差一臺光刻機
智通財經APP瞭解到，在目前的光刻機種類中，深紫外光刻機(DUV)採用的光源波長爲193nm，通常只能用到25nm製程。而極紫外光刻機(EUV)的光源波長則爲13.5nm，是突破7nm芯片製程節點的必需工具。
早在2018年初，中芯國際便與荷蘭ASML達成了首臺EUV光刻機的採購訂單，價值約1.2億美元。原計劃將於2019年底交付，但因未發放新的出口許可證而遲遲未交付。
若從EUV光刻機的設備組成上看，其鏡頭由德國蔡司供貨、大量專利技術來自韓國海力士、大功率光源則由美國提供，近85%的零部件由全球各地供應商提供。雖然受到外部大環境影響，但就ASML公司自身而言，該公司也並不想放棄中國市場。
在第三屆進博會上，ASML主動參展，並展示了可生產7納米工藝芯片的浸潤式DUV光刻機。在經過多重曝光後，浸潤式DUV也能達到7納米制程的門檻，甚至更進一步。並且，該浸潤式DUV光刻機出口無需申請出口許可。
中芯國際首席執行官梁孟鬆也曾介紹，在7nm工藝發展中，N7+工藝纔開始使用EUV工藝，並且光罩層數較少。僅5nm節點上才充分利用EUV光刻工藝，達到14層EUV光罩。
ASML所展示的浸潤式DUV光刻機，即使能夠突破7nm門檻，也需要經過多重曝光，將會大大提高成本。曾有業內人士指出，使用DUV光刻機生產7nm芯片，需至少曝光的次數是EUV的4倍。
此前，臺積電在進行7nm研發時採用的則是DUV光刻工藝，隨後才逐步轉換到EUV光刻。由此可見，ASML的DUV光刻也並非是十分先進的技術。中芯國際要進一步達到7nm以下門檻，仍需更高級光刻機設備的助力。
不過，7nm製程工藝目前仍是芯片製造一個較少公司突破的領域，除臺積電、三星及正在追趕當中的英特爾，其他競爭者都因資源耗費過大而宣佈放棄。中芯國際嘗試N+1、N+2代工藝的研發已是跑在了全球前列，具備超越國際二線廠商的能力。
目前，物聯網、loT和汽車等快速增長的行業所採用的芯片大多爲12/14nm製程工藝，5G時代對於半導體需求最高的光學、功率器件、射頻器件等也多采用28/40nm工藝爲主，佔據着業界相當大一部分利潤。7nm和5nm目前主要用於高端手機和電腦。
由此可以說，中芯國際已是極少數向着國際一線廠商邁進的追趕者。
