FX168財經報社(香港)訊 半導體聚焦最新芯片制程技術，英特爾(NASDAQ:INTC)前兩天宣稱其2奈米技術，有望從原本預訂的2025年，提前半年到2024下半年量產。同時，也搶先業界在研發工廠安裝目前最先進的高數值孔徑的極紫外光(EUV)曝光機TWINSCAN EXE:5200，可說是來勢洶洶。但有媒體嘲諷稱，就此想追趕臺積電可說是做夢。
財訊報道分析，英特爾搶先下訂的EXE:5200，最快要2025年才能拿到，而EXE:5000在2022年就能開始供貨，二者每小時能生產的晶圓片數分別為200片與182片，差別極小，英特爾搶到最新型號首發的實質意義不大。
反觀來看，臺積電雖然沒有搶到第一部最先進EVU EXE:5200，但往后數年包含既有EXE:3000系列，以及較5200次一級的5000型號，大部分都會落入臺積電的口袋。也就是說，即便英特爾成功開發初2奈米等級的制程服務，但屆時能夠拿出來服務代工客戶的產能恐怕也會極為有限，很難對臺積電產生任何實質威脅。
根據《財訊》報道所稱，業界認為，很大的可能只是為彌補在推出IDM 2.0之前，沒有先確保ASML最新機臺的產能，所以才亡羊補牢。實際上，拿到EXE:5200對英特爾的產能規劃幫助可能非常有限，臺積電也沒有想要第一時間拿到這部實驗性機臺，反而是以實現穩健量產為目標，搶下大部分EXE:5000機臺。
盡管當前半導體市場上，有媒體不斷地提出質疑，臺積電3奈米的量產時程可能延誤，但據了解，臺積電3奈米的研發時程超前甚多，第二版更高性能的N3B預計在8月就能投片，在新竹12廠研發中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步量產，直接取代第一版。
台積電 (TW:2330)初步規劃新竹工廠每月產能約1至2萬片，臺南工廠產能為1.5萬片。而第三版高性價比N3E也能在明年第一季上陣，這些進展都打破英特爾的預期，也再次拉大臺積電與三星之間的差距。
三星預計2022年量產基于GAA技術的3奈米制程，但至今為止，仍不知其客戶將從何而來。而英特爾所謂2奈米時程提前，恐怕屆時也只能少部分提供自用，就像最初10奈米在幾年前量產時，因為技術限制，無法被應用在大規模電晶體的主流產品，只能先行使用在小布局的嵌入式處理器，量產后數年才真正被大規模使用，而能提供客戶代工的先進制程產能規劃恐怕還在未定之數。
財訊也分析，從ASML的產能規劃來看，包含2022年在內未來3至5年，EUV機臺設備恐怕都是一機難求，除了臺積電的需求以外，三星、海力士、美光等業者的記憶體制造也都將升級到EUV機臺，臺灣南亞科也有計劃引入EUV設備，加上英特爾自身目前有3個具備EUV能力的開發工廠，以及1個EUV量產工廠外，還有另外8個工廠正在規劃興建中，預計也都會引入EUV設備，在僧多粥少的情況下，恐怕還是得乖乖排隊候補。
面對著來勢洶洶的英特爾，實際上臺積電也正籌備著前往美國設廠的計劃。針對臺積電赴美國亞利桑那州投資設廠，臺積電創始人張忠謀日前再度指出，美國生產成本過高。分析師指出，張忠謀或許要讓臺積電有改變計劃的臺階下。另外，針對外媒質疑，美國廠招募員工，要來臺受訓6至12個月，可能讓美國人為之卻步，臺積電方面則表示，他們認為來臺受訓是很好的機會，對美國年輕人應該是有吸引力。
張忠謀2021年底曾于臺北玉山科技協會20周年慶祝時指出，臺積電赴美設廠不是個好選擇，最好建廠的地點就是臺灣。日前他在接受美國智庫訪問時，又舉臺積電美國奧勒岡廠為例指出，臺灣與美國兩地在半導體生產上有明顯成本差異，同樣的產品，在奧勒岡的單位成本要高出臺灣50%。