智通財經APP獲悉，新思科技(SNPS.US)近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持叁星晶圓廠實現一款先進高性能多子系統片上系統(SoC)一次性成功流片，驗證了下一代3納米(nm)環繞式柵極(GAA)工藝技術在功耗、性能和面積(PPA)方面的優勢。此次流片成功是新思科技和叁星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優化的參考方法學，實現全新3D晶體管架構所固有的卓越功耗和性能。
新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業界唯一高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設計流程，以及最受業界信賴的金牌簽核産品。采用叁星最新3nm GAA工藝的客戶，可在高性能計算(HPC)、5G、移動應用和人工智能 (AI) 應用領域, 爲下一代設計實現理想PPA目標。
據了解，根據摩爾定律，晶體管尺寸要進一步縮小，而GAA架構爲更高的晶體管密度提供了經過流片驗證的途徑。GAA架構改進了靜電特性，從而可提高了性能並降低了功耗，並帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優化機會。這種額外的自由度與成熟的電壓阈值調諧相結合，擴大了優化解決方案的空間，從而更精細化地控制總體目標設計PPA指標的實現。新思科技和叁星開展密切合作，加速這一變革性技術的可用性並進一步提高效能，從而在新思科技的Fusion Compiler™和IC Compiler™ II中實現了全流程、高收斂度優化。